تطبيقات علي الترانزستورات Transistors

تطبيقات علي الترانزستورات Transistors

دارة قيادة حاكمة

يبين الشكل دارة قيادة حاكمة , وفي هذه الدارة يستخدم ترانزستور JFET قتال (n) . عندما يوضع المفتاح علي الوضع (A) يكون الترانزستور الحقلي وبالتالي عبر ملف الحاكمة ويؤدي ذلك إلي تغير وضعيات الترانزستور في حالة قطع فيتوقف التيار عن المرور عبر الترانزستور وعبر الحاكمة وتعود تماسات الحاكمة إلي حالة الراحة .

مضخم / مازج صوتي

تستخدم هذه الدارة لمزج إشارات صوتية من مصادر مختلفة باستخدام دارة ترانزستور JFET بتوصيلة منبع مشترك . وهذه الإشارات يمكن أن تكون من ميكروفونات (microphones) أو مضخمات أولية (preamplifiers) . تطبق كافة الإشارات إلي دخل المازج/المضخم عبر مكثفات ربط متناوب . يتم اختيار مقاومات المصرف والمنبع بحيث يتم الحصول علي الربح المطلوب , أما المقاومات المتغيرة (1MΩ) فهي مقاومات متغيرة مستخدمة هنا للتحكم بمقدار الربح لإشارة كل مدخل .

semiconductor-illustrated_Page_45_11

الشكل : دارة قيادة حاكمة

semiconductor-illustrated_Page_46_03

الشكل : مازج/مضخم صوتي

مقياس حقل كهربائي

في دارة الشكل يستخدم ترانزستور حقلي JFET لتكوين كاشف ساكنة (static electricity detector) . عندما يوضع الهوائي , الذي هو عبارة عن سلك بسيط بجوار جسم مشحون فإن الالكترونات في الهوائي سوف تجذب إلي قاعدة الترانزستور الحقلي أو تدفع مبتعدة عنها , وذلك حسب كون شحنة الجسم موجبة أو سالبة , وتؤدي إعادة توزع الإلكترونات إلي خلق جهد علي البوابة يتناسب مع الشحنة المتوضعة علي الجسم , وبنفس الوقت يبدأ الترانزستور الحقلي إما بمقاومة مرور التيار أو بالسماح للتيار بالمرور عبره مما يؤدي إلي انحراف إبرة المقياس . تستخدم المقاومة (R1) لحماية مقياس الأمبير . أما المقاومة R2 فتستخدم لضبط ومعايرة المقياس .

semiconductor-illustrated_Page_46_06

الشكل : مقياس حقل كهربائي

تعليقات

إرسال تعليق

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

صورة
الشاشة الإفتتاحية لإكسل : المكونات الرئيسية لنافذة برنامج الأكسل § الأعمدة : كل عمود يرمز له بحرف من (IV-A) = 256 عمود وتشتمل الشاشة الواحدة علي (^) عمود ما لم تتغير مساحة الأعمدة من حجم النافذة . § السطور ( الصفوف ) تأخذ أرقاما متسلسلة من ( 1 – 55366( § الخلية تطلق علي نقطة تقاطع العمود مع السطر علي صفحة البيانات ولكل خلية عنوان مميز يتكون من إسم العمود ورقم السطر المتقاطعين (A1) . عدد الخلايا < 4 مليون خلية = ( 256 X 65536 ) § الخلية النشطة هي الخلية التي يحيط بها برواز يسمي ( مؤشر الخلية ) ويظهر عنوانها دائما في شريط المعادلة وهي الخلية التي تستقبل المخلات من لوحة المفاتيح . ويمكن إتساع الخلية من شريط الافقي وذلك بتحريك عن طريق الماوس باستمرار الضغط عليه وتركه حسب المساحة المطلوبة . § شريط العنوان يشتمل علي إسم المستند (BOOK1) ( اسم البرنامج + اسم المستند + أزرار التحكم ) § شريط أدوات التنسيق قضيب يشتمل علي أدوات تستخدم لتنفيذ عمليات توفر وقتك ويمكن من خلاله اختيار نوع الخط وحجمها – تنسيق فقرة الكتابة – الضبط الكلي لفقرة الكتابة – تغيير لون الخ
قراءة المزيد

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

صورة
أوامر الجافا سكريبت :- الجافا سكريبت لغة تعتمد علي الكائنات البرمجية , وهو الشئ الذي يمنحها قوة في الإستخدام , لكن أين نكتب أوامر الجافا سكريبت :- 1- في منطقة الرأس ( Head) الخاصة بكود HTMl 2- في منطقة الجسم ( Body) الخاصة بكود HTML ولا قيود علي مبرمج الجافا أن يضع أوامر الجافا سكريبت في منطقة الرأس أو الجسم , لكن راعي أن أوامر الإخراج – وهي الأوامر التي من اختصاصها أن تظهر ناتج الكود البرمجي علي المتصفح – لابد وأن تكتب في منطقة الجسم (Body) أو في المكان الذي تريده أن يظهر فيه ناتج السكريبت , أما عند كتابة أمر الإخراج في منطقة الرأس (Head) فإنه يعمل علي كتابة ناتج هذا الأمر قبل البدء في أي أوامر تختص بمنطقة الجسم ( Body) . هناك ميزة أخري في الجافا سكريبت وهو أنه يمكنك كتابة كود الجافا سكريبت في ملف خارجي (كما هو الحال في CSS ) , ويكون امتداد ذلك الملف (* .Js) ,   وتكون صيغةالربط بينصفحتك وملف الجافا كالآتي :- > Script Language = " javascript" src = " موقع الملف علي الشبكة أو علي الجهاز "> > /Script> ملاحظات علي كتابة الأوامر في ا
قراءة المزيد

مسائل علي الترانزستورات MOSFET

صورة
مسائل مسألة 1 ترانزستور MOSFET من النوع المقلل (depletion) له المعطيات التالية : IDSS = 10mA; VGS,of = -4V أوجد قيم I D R DS , g m , عندما تكون V G = -2V و V G = +2V . أفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل :   مسألة (2) : ترانزستور MOSFET من النوع المعزز له البارامترات التالية : V GS,th = +2v; وعند V GS يساوي (+4V) كان ID = 12mA أوجد R DS , gm, k بفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل : من أجل حساب k استخدم معادلة تيار المصرف في المنطقة الفعالة : I D = k (V GS – V GS,th )2 ومن هذه المعادلة تحصل علي : ومن أجل إيجاد g m , استخدم العلاقة التالية : وعندها يمكن حساب المقاومة R DS من العلاقة : R DS = (1/gm) = 83Ω مسألة (3) : في دارة الشكل يوجد ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز له V GS,off = -4V , I DSS = 10mA . المقاومة R D = 1kΩ وجهد التغذية المستمر V DD = +20V . أوجد الربح (V out / V in ) . يمكن باستخدام قوانين كيرشوف وأوم الحصول علي المعادلات التالية : V DD = V DS + I DRD V DD = V D
قراءة المزيد