مكتبة فرحات الهندسية

تكنولوجيات ذاكرة تحت البحث : تكنولوجيا الذاكرة , حاليا تعتمد علي سليكون أشباه المواصلات . يعكف المهندسون علي تصميمات لرقاقة سريعة عالية الكفاءة . يستخدم المهندسون لأجراء هذه التصميمات غرف نظيفة جدا مجهزة خصيصا لذالك بدأت قيود تكنولوجيا السيلكون تقف حائلا أمام التطلعات المستقبلية لنظم الذاكرة , لذالك بدأ يبدو في الأفق إنحسار فكرة السيلكون وبدأ الباحثون في اللجوء إلي أفكار جديدة و الأستعانة بتكنولوجيات جديدة فيما يلي استعراض بعض هذه الأفكار . الحساب البيولوجي Biolgical Computing يعكف الدكتور Robert Birge الأستاذ في جامعة " Syracuse" علي بحث يتناول تطوير الذاكرة باستخدام فكرة جديدة تعتمد علي جرثومة بكتيرية " Bacterium" تسمي " Halo bacterium Halobium" لهذه الجرثومة لتكوين محول "Switch" بسيط , يغير الحالة " State" في وجود ضوء ( مثل شعاع الليزر ) . يماثل هذا ما يفعله الشبه موصل " Semiconductor" بتغيير الحالة ولكن في وجود شحنة كهربية . طبقا لمفهوم الدكتور Birge وباستخدام هذه الطريقة يمكن تخزين واحد bit من البيانات لكل عشرة آلاف...

تكنولوجيات الذاكرة المتقدمة : مع تطور كل المعالجات ورقاقات ال Chipste وزيادة سرعتها ,تقع نظم الذاكرة في مشكلة عنق الزجاجة "Bottle Neck" لذالك كان لابد من أن يعكف مصممو الذاكرة لتقديم تكنولوجيات جديدة أو تطوير ذاكرة ال SDRAM التي تعتمد عليها نظم الذاكرة حتي كتابة هذا الكتاب . كثير من المصانع و الشركات الخاصة بهذه الصناعة ترصد الأموال وتقدم الجهد والعون للباحثين ليتوصلوا إلي تكنولوجيات جديدة أكثر تفوقا . فيما يلي عرض لبعض هذه التكنولوجيا . الذاكرة RDRAM : أشرنا في بداية هذا الفصل إلي هذه الذاكرة بإختصار شديد . قدم هذا النوع من الذاكرة شركة "Rambus Technologies" بالتعاون مع شركة Intel تعمل ذاكرة الRDRAM علي ناقل خاص بها . يتميز هذا النقل الخاص بسرعته التي هي .400 MHZ تختلف ال RDRAM عن الذاكرات الأخري التقليدية التي ترسل البيانات فقط في لحظة الحافة الصاعدة لذبذبة التردد "Rising Edge Of The Cycle" في أنها تنقل البيانات لحظة الحافة الصاعدة "Rising Edge" تأثير هذا , هو مضاعفة معدل نقل البيانات دون زيادة السرعة . هناك عدة أشياء تجعل الRDRAM غير متو...

ذاكرة الفيديو video memory : تختلف متطلبات عمليات الفيديو الحديثة عن نظام .مثلاً الوصول للبيانات يكون أقل عشوائية . افتراضيا تنقل جميع البيانات بأسلوب ال BURST MODE الوصول لكلمة واحدة فقط SINGLE – word عملية نادراً ما تحدث ويمكن اعتبارها غير واردة في تطبيقات كثيرة يلزم نقل بيانات بمعدلات عالية جداً لذلك عامل السرعة مهم جداً في تصميمات موائمات الجرافيك العالية الأداء على مدار السنين أتى مهندســـــوا تصميم موائمات الجرافيك بأفكار فعالة للتعامل مع الجرافيك بشكل جديد يوجد حالياً نوعان أساسيان لموائمات الجرافيك نوع اسمه (video ram) "vram" ونوع أخر اسمه (synchronous Graphics RAM) "SGRA ذاكرة ال VRAM لم يمضي علي بدء ظهور هذا النوع من الذاكرة إلا سنوات قليلة والإسم VRAM هوإختصار Video RAM لازال أداء هذه الذاكرة وإعتماديتها Reliability في مستوي يجعل مصممو كارتات الفيديو يفضلونها . الا ختلاف الجوهري بين ال VRAM وال DRAM هو أن الـ VRAM بها خاصية ال Dual-Reported أي يمكن لهذه الذاكرة الوصول لجهازين في وقت واحد . في هذه الذاكرة يمكن أن تتدفق المعلومات إلي مرحلة الإ خراج أثناء...

ذاكرة الـEDO : جاء الاسم " EDO " من , Extended Date Out وقد ظهر هذا النوع من الذاكرة في عام 1994 وهي شبيهة جدا بذاكرة الـ FPM في أمور كثيرة . ما يجعلها أسرع قليلا هو عدم وجود تأخير زمني بين عمليات القراءة . مثل ما هو يحدث في الـ FPM , إذا كانت البيانات التالية القليلة المحتاج اليها الـ CPU موجودة بصف واحد فإنه يتم حذف عملية الـ RAS هذا بالإ ضافة الي , إذا كان النظام موصف Configured لاستخدام الـ EDO فإنه سيحذف الزمن اللا زم لعملية الـ" CAS' أثناء البحث عن الصف . ويحدث هذا فقط عندما يبدأ دوره RAS جديدة أثناء قراءة البيانات الخاصة بالبحث السابق . يتوقف مدي التحسن الذي تم الحصول عليه من هذه الطريقة علي عدة عوامل أهمها , يجب أن تكون الـ Chipset مدعمة للـ EDO . أما إن لم تكن , فإن أحد شيئين سوف يحدث . سيفشل الكمبيوتر في عملية Booting وبالتالي ظهور رسالة علي الشاشة تشير إلي وجود خطأ ذاكرة Memory Error وذلك أثناء الـ post , أو سيتم الـ Booting بنجاح , ولكن سيتعامل النظام مع ال RAM علي أنها FPM . لأن الـ EDO كانت قد أطلقت في منتصف عام 1994 , لذالك جميع نظم الـ Pentium ت...

كانت تعنون ذاكرة الـ DRAM القديمة بالطريقة التقليدية . يتم عنونة الصف أولا أي الوصول للصف الذي به المعلومة المطلوب الحصول عليها وذلك عن طريق إشارة RAS ثم بعد ذلك يتم تحديد الموقع المطلوب تحديدا نهائيا بعد عنونة العمود بواسطة إ شارة .CAS كانت هذه الطريقة ناجحة مع المعالجات البطيئة ولا تمثل أي مشكلة . ولكن مع تقدم تكنولوجيا المعالجات وأصبحت سرعتها عالية , أصبح من الضروري زيادة سرعة نقل البيانات من الذاكرة إلي المعالج . كان أول أسلوب تحسين تم تطبيقه لتحسين سرعة عنونة مواقع الذاكرة ( الوصول لمواقع الذاكرة ) هو ما يطلق علية.Fast page Mode(FBM) . تختلف ذاكرة الـ FPM عن ذاكرة الـ DRAM القديمة في كيفية الوصول للبيانات أساس فكرة الـ FPM , حذف عنونة الصف (حذف RAS) عند القراءات المتعددة من نفس الصف ويكون في هذه الحالة ضرورة عنونة الصف للقراءة الأولي من ذات الصف , بهذا الشكل ينخفض زمن الوصول للمعلومات . حذف الـ RAS يعني حذف جزء كبير من الزمن , لأن زمن البحث عن الصف هو الزمن الكبير بينما البحث عن العمود زمن اقل بكثير أي انه زمن الـ CAS زمن قليل جدا . إذن زمن الوصول لمواقع المعلومات ينخفض جدا با...

أتت فكرة الـ ECC كمرحلة تالية لفكرة الـ parity وفكرة الـ Ecc غير موجود ة إلا في موديولات الـ 72-pyn وا لـ 168—5n فقط حيث توضع bits bits المطابقة لمجموعات الـ Ecc مع بعضها في Cluster واحد . (كومة واحدة ) يتم تنفيذ سلسلة من الإجراءات "Algorithm" علي بلوك المعلومات بكاملة الذي يعامل بواسطة الرقاقة ) 32-pit في حالة الموديول 64-pit -, 72 pin SIMM في حالة الموديول (168-pin DIMM ثم يتم تخزين نتائج الحسابات في الـ Ecc cluster عند هبوط أي pit من المعلومات فا من المعلومات فانه لا يكتشف فقطل أيضا يتم تصحيحه دون أن يشعر المستخدم بحدوث آي شي. لكي تعمل الـ Ecc فلابد من تدعيم الـ ٍSystm Bios لها , علاوة علي أن الـ Cmos يجب ان تكون مضبوطة علي خيار الـ Ecc. في كثير من النظم , يحتاج الأمر إلي ضبطين Two Adjustments . الأول خاص بتشغيل الـ ,parity Checking والضبط الثاني يختص بإخبار النظام استخدام أسلوب الـ (Ecc Mode) Ecc في النظم التي بها هذين الضبطين لا بد من توصيف كل منهما ( أي تحديد خيار كل منهما ) وهناك نظم أخري فيها خيار تمكين الـ (Enable Ecc) Ecc أنواع الذاكرة وتوقيت الـ DRAM: تقدمت...

كانت الذاكرة قديما تستخدم طريقة الـ parity. كان عرض بيانات بنك الذاكرة Memory Bank هوbit 8 يضاف إليه pit واحد للمطابقة لكل بايت Byte من المعلومات يخرجه الموديول . ولأن المعلومات ثنائية Binary إذن فهي ستكون في قالب من الأصفار والأحاد تستخدم اجهزة الكمبيوتر القياسية طريقة يطلق عليها المطابقة الفردية Odd-pArlty . فعند استخدام فحص المطابقة party Checking عن طريق النظام , فإنه يتم عد عدد الآحاد بكل بايت من المعلومات ترسله الذاكرة , ثم يتم ضبط bit المطابقة علي أساس عدد الآحاد التي أرسلتها الذاكرة (بما فيها bit المطابقة ) إن كانت فردية أو زوجية . في حالة أن يكون عدد الآحاد زوجي فإن bit المطابقة يضبط عند " 1" بينما إن كان عدد الآحاد فردي فإن bit المطابقة يضبط عند "0" وبالتالي فإن النتيجة أن عدد الآحاد (بما فيها bit المطابقة ) عددا فردياً . في حالة حدوث أن يصبح عدد الآحاد عدد زوجي فإن هذا مؤشر لوجود خطأ مطابقة parity error لهذه الطريقة عيبين , الأول : انه من الممكن أن يحدث هبوط لأثنين bits في نفس البايت مما ينتج عنه أن لا يشير الـ parity Checking إلي وجود خطآ برغم وجود...

كما سبق وذكرنا أن رقاقة الـ DRAM تتكون أساسا من مجموعة مكثفات ميكروسكوبيه . فإذا شحنت خلية فهذا يمثل معلومة قيمتها 1 وإذا تم تفريغ خلية فإن هذا يمثل معلومة قيمتها O الخلية التي يتم تفريغها تفريغا مفرطا نتيجة تسرب الشحنة قبل دورة الأنعاش فإنه لن يتم إ عادة شحنها وبذالك تتحول المعلومة في هذه الخلية من I إلي O , ويعني هذا حدوث خطا في أمثلة كثيرة , فإن هبوط Pit من هنا او هناك تحت أي ظروف . لا يمثل مسالة حرجة . فمثلا في صورة جرافيكيه Graphic Image واحدة تحتوي علي آلاف وربما ملايين من بيانات البيانات التي تمثل النقط الضوئيةxels pi للصورة فإن هبوط bit واحد لا يمثل أي مشكلة . نفرض ان صورة ا بعادها 1800 Pixels عرضا 1200 pixels ارتفاعا , فإن هبوط bit واحد في هذا العدد الهائل لن يمثل أي مشكلة لهذة الصورة . ولكن من ناحية اخري , في الحسابات الحرجة الدقيقة فإن هبو ط أي bit في بيانات المعاملات الحسابية الحرجة سوف يؤثر تاثيرا جوهريا علي النتيجة . علي مر السنين ثم وضع طريقتين للتعامل مع هذه المشاكل . الطريقة الأولي , أطلق عليها اسم المطابقة parity وهي آلية بسيطة لفحص الخطأ "Error – Checking ...

لناقل البيانات الخارجي للمعالج عرض معين بالـ bits . يبين الجدول الأتي قائمة بمعالجات إ نتل عديدة وكذالك معالجات الـ AMD وأمام كل معالج عرض ناقلة البيانات الداخلية Internal Data Bus وعرض ناقلة البيانات الخارجية External Data Bus الخاصة به . جدولCbuspas and present and Their external Data Bus Widths (a) لكي يعمل الكمبيوتر بشكل سليم فان اى بنك الذاكرة لابد وان يملأ بذاكرة عرض ناقل بيانات المعالج وكما سبق وان ذكرنا من قبل اْن كل نوع معين من تعبئة الذاكرة له عرض بيانات معين الـ Cbu ذو ناقل بيانات خارجي بعرض 64-bit, يجب ان يقابل بنك ذاكرة ذو عرض بيانات 64-bit, ايضا وإلا لن يستطيع الكمبيوتر القيام بعملية الـ Booting لذالك , في حالة معالجات الـ Pentium لأن لها ناقل بيانات خارجي 64-bit فانه يلزم اثنين موديول 72-pin Simm لتكملة البنك ولكن يلزم للبنك موديول واحد فقط عند استخدام موديول الـ 168 pin DIMM لفهم مسالة الـ Ban kink فانه يكون من المفيد ضرب بعض الأمثلة كثير من لوحات الأم Motherboards التي تستخدم معالج الـ Pentium تكون مجهزة بمجموعة مكونة من اربعة Sockets من النوع SiMM 72-pin ومجم...

في أوائل عام 1990 , كانت هناك شركة عرفت بعد ذالك بإسم ram bus inc تعمل في صناعة الذاكرة الخاصة بآ لعاب الفيديو . في منتصف التسعينات , كانت تعمل شركة ram bus بجدية لتقديم نوع جديد من ذاكرة الكمبيوتر . في عام 1998 تعاونت الشركات الثلاث Kingston, Intel ,ram, bus واستطاعت أن تقدم موديول ذاكرة جديد وأطلقت عليه الاسم rimm الذى هو اختصار ram bus inline memory يدعم هذا الموديول نوع واحد فقط من الذاكرة هو النوع ram bus memory شكل (3-5 )   هذا الموديول ذو pin – 168 وبه فتحتان N otches ناحية المنتصف بحافة الوصلة اْ غلب لوحات الأم التي تدعم ال Ramous يكون بها مجرتان Ramous بعض مجارى الRamous ,أحادى , اى كل مجرى لا تستوعب الي موديول واحد وهناك نوع آ خر من مجارى ال Ramous " ثناىْ" أي كل مجري تستوعب اثنين موديول وبالتالي يمكن تذويد اللوحة الأم في هذه الحالة بأربعة موديولات في نظم موديولات الـ SIMM او الـ DIMM ليس بالضرورة ملأ جميع الـ Sockets , انما في الـ RIMM لابد من ملأ جميع الـ Sockets .

لا يمكن استخدام موديلات ال dimm بحجمها الكبير نسبياً في أجهزة notebook computers لذلك كانت موديلات ال so-dimmهي المناسبة لأجهزة كمبيوتر الnote book لصغر حجمها وتعتها بنفس المميزات تكنولوجيا ال dimm والاسم so – dimm هو اختصار small outline dual in line memory module يبين شكل ( 3-5 ) موديل ال so- dimm المناسب لأجهزة الكمبيوتر ال note book تنتج هذه الموديلات في حجم صغير جدا وهى ستهلك قدرة وتحتوي على 144-pin عرض بيانات هذا الموديل 65-bit يتم تركيب هذا الموديل في socket خاصة مصممة بحيث تمنع زحزحة أو حركة الموديل من ال socket خصوصا وأن ال note book computers عرضه للحركة والتنقل من الطبيعي ان يطرأ في ذهنك سؤال لماذا لم تستخدم الso-dimm في أجهزة الdesktop ؟ الأجابة لارتفاع سعر هذا الموديول , حيث يصل سعر هذا الموديول إلي مرتين ونصف من سعر موديول dlmm .

مع إطلاق معالج أل Pentium , أصبحت موديلات أل simm تمثل مشكلة عنق الزجاجة من هنا راح مصممو الذاكرة يعكفون لتقديم تطوير لموديل ال simm أسفرت مجهوداتهم على تقديم موديل جديد هو موديل ال dimm وهذا الاسم هو اختصار dual in line memory يشبه موديل ال simm ولكن مع اختلافات جوهرية هي : يوجد مقابض في ال socket تشبك في فتحات Notches موجودة بالحواف الجانبية لموديل ال dimm تعمل على مسكه وتثبيته في ال socket جيداً وهذا بديلاً عن المشابك الياييـــــه التي كانت في ال socket ال simm في حافة قاعدة موديل ال dimm يوجد فتحتين أثنين notches بدلا من واحدة مثل الموجودة في موديل ال simm . الاثنين notches التي بحافة قاعدة موديل ال dimm أحدهما في المنتصف والأخرى قريبة جداً من طرف الموديل . اختلاف موضع هاتين الفتحتين notches يفيد في أمرين , الأول منع ال dimm من أن تركب بالمقلوب ( الوضع العكسي ) الأمر الثاني منع أي نوع مختلف من ال dimm (ذو جهد مختلف ) أن يركب في socket لأن مسافات الفتحتين سيكون مختلف

جاء المصطلح simm من الاسم memory module single in line في هذا النوع تم بناء عدة رقاقات ذاكرة على كارته صغيرة ذات وصلة عند أحد حوافها edge connector مثل التي بكارتات التوسعة Exapansion cards يشار على هذا الموديل بالاسم 30-pin simm برغم أنه لا يحتوي على pins , ولكن بدلا من أل pins توجد خطوط نحاسية مطبوعة عند أحد حواف كارته الموديل ( هي ما يطلق عليها edge connector وهي وسيلة الربط بين رقاقات الذاكرة الموديل واللوحة الأم . وعموماً لازال يشار إلى كل خط نحاس مطبوع عند حافة الموديول بأنه pins , لأن هذا الخط موصل فعلاً بأحد pins رقاقة من رقاقات الموديول . إذن عدد هذه الخطوط النحاسية يمثل فعلاً عدد أل pins برقاقات الموديول . تم إنتاج نوعان من ألsimm النوع الأول ذو 30-pin فقط أما النوع الثاني فهو ذو 72-pin وعلى مدار عمر إنتاج أل simm تم استخدام أنواع مختلفة من رقاقات الذاكرة منها من يشتمل على خاصية أل (fpm)fast page mode ومنها من يشتمل على خاصية أل in party and non party ( المطابقة واللامطابقة) ومنها من يشتمل على خاصية أل (ecc) Error correction code وأنواع أخرى . المهم أننا يجب أن لا نخلط بين ...

على مر السنين قامت شركات تصنيع الذاكرات بتطوير تغليف PACK AGE الذاكرة فأصبح الـــ CUP يمكنه الوصول ACCESS لبنوك ذاكرة حجمها أكبر وبسرعة أعلى . هذا علاوة على حدوث تطوير في تصميم الذاكرة والذي سنتناوله إنشاء اله في الأجزاء . رقاقات أل DIPP : كانت أجهزة الكمبيوتر الشخصية القديمة تستخدم ذاكرة معبئة في شكل رقاقات فردية. تعبئة الرقاقة نوع يسمى " التعبئة ذات الصفين من الأطراف " يطلق عليها المصطلح DIPP وهو اختصاراً للمعنى Dual Inline pin package . وكان تغليف الرقاقة كان بمادة السيراميك وكانت pins موزعة على امتداد جانبي الرقاقة من أسفلها . لكي تكون ذاكرة الكمبيوتر ذات عرض بيانات 8-bit فإنه يلزم ثماني رقاقات للبيانات ورقاقة تاسعة لاختبار صحة البيانات يطلق على هذه الرقاقة " رقاقة المطابقة " "parity chip " كل مجموعة من تسعة رقاقات تمثل بنك ذاكرة "memory bank" كانت مسألة توسعة الذاكرة مسألة مزعجة لأن الأمر في هذه الحالة يحتاج تركيب مجموعات أخرى من الرقاقات كل رقاقة تركب في socket وقد تتعرض الرقاقة للتلف نتيجة التثبيت الخاطئ .لذالك كان اللجوء إلى استخدام ك...

الذاكرة DRAM: dram هي ذاكرة ram الديناميكية " dynamic ram " في رقاقات chips هذا النوع من الذاكرة ترتب الخلايا على شكل مصفوفة Array . خلايا هذه المصفوفة عبارة عن ترانزستورات ميكروسكوبية موصلة بمكثفات كهربية . عندما يتم شحن اى من هذه المكثفات فإنه يمثل bit قيمته 1 بينما عند تفريغ اى من هذه المكثفات فإنه يمثل bit قيمته 0 . أي أن المعلومات يتم تخزينها في خلايا ذاكرة DRAM على هيئة شحنات كهربية . نفرض أن لدينا رقاقة ذاكرة أبعاده 4×4m , فإن هذا يعنى أن عمق المصفوفة 4m-bit ( 4 ميجا بايت ) وعرض البيانات 4-bit ويعني هذا أيضاً أن كل صف يحتوى على 4-bit , إذن المصفوفة ذات 4 أعمدة "4-Column" يكون معدل الإنعاش refresh rate على حسب عدد الأعمدة الموجودة في مصفوفة dram يبين الشكل مخطط صندوقي لرقاقة الذاكرة dram سعة 2 kb يعنون الصف أولاً عن طريق سبعة خطوط عنوان 0 A6…..A1…..A 0) ) ثم يعنون العمود ثانياً عن طريق نفس خطوط العنوان ( عنوان العمود A13…..A8…..A7 ) أبعاد مصفوفة ألـــ DRAM في هذه الرقاقة هي 128 صف × 128 عمود الجزء الأول من عملية الإنعاش هو أولاً تحديد لكل خلية على حده إن...

بصرف النظر عن التكنولوجيا المستخدمة في تصنيع كل نوع من أنواع الذاكرة المختلفة , إلا أن هناك أمور ثابتة أساس تصنيع اى نوع من أنواع الذاكرة . مثلا أن أي ذاكرة سواء صنعت في شكل رقاقات chips أو موديلات modules فإن التكوين الأساسي للذاكرة هو أنها عبارة عن مجموعة من الخلايا cells كل خلية السعة الاستيعابية لها من المعلومات واحد bit فقط . تختلف الذاكرات عن بعضها من حيث طبيعية مكونات هذه الخلية , فربما تكون الخلية عبارة عن ترانزوستور واحد وربما تكون أكثر من ترانزوستور , حتى نوع ترانزوستور , حتى نوع ألترانزوستور يختلف من نوع ذاكرة إلى آخر , وبعض الخلايا تتصل بدايود والبعض الأخر يتصل بمكثف . لكي يصل المعالج إلى بيانات معينه مخزنة في الذاكرة , فإن ذلك يتم عن طريق دائرة تحكم الذاكرة (mmc ) memory control circuit الموجودة مع مسجلات الجلب المسبق prefetch registers داخل رقاقة المعالج . في أجهزة الكمبيوتر القديمة كانت دائرة تحكم الذاكرة في رقاقة مستقلة خارج المعالج وموجود على اللوحة الأم وكان يطلق عليها memory control chip قامت مصانع الرقاقات الحديثة بإدماج وظيفة دائرة تحكم الذاكرة في رقاقة أل nort...

نظرة عامة على الذاكرة The Memory عنصر أخر يوقف عليه أداء جهاز الكمبيوتر جانب أل CUP وهذا العنصر هو الذاكرة MEMORY دائما ما يسمع مستخدمي الكمبيوتر مصطلح أل RAM عندما يكون هناك حديث عن الذاكرة تجد كثير من الفنيون يسالون عن مقدار أل RAM التي يرغب المستخدم في تزويد الكمبيوتر بها . أو أحيانا يشكوا بعض المستخدمين أن بعض برامج التطبيقات تعترض على حجم أل RAM المزود بها جهاز الكمبيوتر برسائل تظهر على الشاشة تشير بان حجم أل RAM غير كاف وكلمه RAM جاءت من طبيعيه عمل أل RAM فهذه الكلمة فهي اختصار random access MEMORY أي ذاكرة الوصول العشوائي ذلك لان المعالج يمكنه أن يصل لأي موقع من مواقع أل RAMعشوائيا دون التقيد بتسلسل أي حسب توجيه البرنامج تستخدم أجهزة الكمبيوتر أنواع مختلفة من الذاكرة . اغلب المعالجات تحتوى على نوع منها يسمى cache ( l1) level -1 حجم هذه الذاكرة يبدأ من kb 8 فأكثر حسب نوع المعالج تستخدم ذاكرة cache لتخزين الأوامر أو البيانات المتوقع أن يطلب المعالج الوصول إليها لينفذها فعندما يحتاج المعالج الوصول إليها لينفذها فعندما يحتاج المعالج إلى بيانات فان أول مكان يتطلع إليه ليحصل على...