الذاكرة ذات الـ :Fast Page Mode

كانت تعنون ذاكرة الـ DRAM القديمة بالطريقة التقليدية . يتم عنونة الصف أولا أي الوصول للصف الذي به المعلومة المطلوب الحصول عليها وذلك عن طريق إشارة RAS ثم بعد ذلك يتم تحديد الموقع المطلوب تحديدا نهائيا بعد عنونة العمود بواسطة إ شارة .CAS كانت هذه الطريقة ناجحة مع المعالجات البطيئة ولا تمثل أي مشكلة . ولكن مع تقدم تكنولوجيا المعالجات وأصبحت سرعتها عالية , أصبح من الضروري زيادة سرعة نقل البيانات من الذاكرة إلي المعالج . كان أول أسلوب تحسين تم تطبيقه لتحسين سرعة عنونة مواقع الذاكرة ( الوصول لمواقع الذاكرة ) هو ما يطلق علية.Fast page Mode(FBM) .

S

تختلف ذاكرة الـ FPM عن ذاكرة الـ DRAM القديمة في كيفية الوصول للبيانات أساس فكرة الـ FPM , حذف عنونة الصف (حذف RAS) عند القراءات المتعددة من نفس الصف ويكون في هذه الحالة ضرورة عنونة الصف للقراءة الأولي من ذات الصف , بهذا الشكل ينخفض زمن الوصول للمعلومات . حذف الـ RAS يعني حذف جزء كبير من الزمن , لأن زمن البحث عن الصف هو الزمن الكبير بينما البحث عن العمود زمن اقل بكثير أي انه زمن الـ CAS زمن قليل جدا . إذن زمن الوصول لمواقع المعلومات ينخفض جدا باستخدام طريقة الـ FAM لأن البيانات يتم الحصول عليها من قراءات متعاقبة من نفس الصف , لذا اطلق علي الصف "صفحة" ولذالك سميت هذه الطريقة " اسلوب الصفحة السريع " Fast page Mode بدأ استخدام ذاكرة الـFBM ابتداء من نظم الـ80286 وحتي نظم الـ80486 وكانت متاحه بمطابقة وبدون مطابقة . تم اطلاق هذه الذاكرة في اشكال مختلفة اولا في صورة رقاقات منفصلة DIPP وموديولات 30-pin SIMM وموديولات 72—pin SIMM

تعليقات

إرسال تعليق

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

صورة
الشاشة الإفتتاحية لإكسل : المكونات الرئيسية لنافذة برنامج الأكسل § الأعمدة : كل عمود يرمز له بحرف من (IV-A) = 256 عمود وتشتمل الشاشة الواحدة علي (^) عمود ما لم تتغير مساحة الأعمدة من حجم النافذة . § السطور ( الصفوف ) تأخذ أرقاما متسلسلة من ( 1 – 55366( § الخلية تطلق علي نقطة تقاطع العمود مع السطر علي صفحة البيانات ولكل خلية عنوان مميز يتكون من إسم العمود ورقم السطر المتقاطعين (A1) . عدد الخلايا < 4 مليون خلية = ( 256 X 65536 ) § الخلية النشطة هي الخلية التي يحيط بها برواز يسمي ( مؤشر الخلية ) ويظهر عنوانها دائما في شريط المعادلة وهي الخلية التي تستقبل المخلات من لوحة المفاتيح . ويمكن إتساع الخلية من شريط الافقي وذلك بتحريك عن طريق الماوس باستمرار الضغط عليه وتركه حسب المساحة المطلوبة . § شريط العنوان يشتمل علي إسم المستند (BOOK1) ( اسم البرنامج + اسم المستند + أزرار التحكم ) § شريط أدوات التنسيق قضيب يشتمل علي أدوات تستخدم لتنفيذ عمليات توفر وقتك ويمكن من خلاله اختيار نوع الخط وحجمها – تنسيق فقرة الكتابة – الضبط الكلي لفقرة الكتابة – تغيير لون الخ
قراءة المزيد

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

صورة
أوامر الجافا سكريبت :- الجافا سكريبت لغة تعتمد علي الكائنات البرمجية , وهو الشئ الذي يمنحها قوة في الإستخدام , لكن أين نكتب أوامر الجافا سكريبت :- 1- في منطقة الرأس ( Head) الخاصة بكود HTMl 2- في منطقة الجسم ( Body) الخاصة بكود HTML ولا قيود علي مبرمج الجافا أن يضع أوامر الجافا سكريبت في منطقة الرأس أو الجسم , لكن راعي أن أوامر الإخراج – وهي الأوامر التي من اختصاصها أن تظهر ناتج الكود البرمجي علي المتصفح – لابد وأن تكتب في منطقة الجسم (Body) أو في المكان الذي تريده أن يظهر فيه ناتج السكريبت , أما عند كتابة أمر الإخراج في منطقة الرأس (Head) فإنه يعمل علي كتابة ناتج هذا الأمر قبل البدء في أي أوامر تختص بمنطقة الجسم ( Body) . هناك ميزة أخري في الجافا سكريبت وهو أنه يمكنك كتابة كود الجافا سكريبت في ملف خارجي (كما هو الحال في CSS ) , ويكون امتداد ذلك الملف (* .Js) ,   وتكون صيغةالربط بينصفحتك وملف الجافا كالآتي :- > Script Language = " javascript" src = " موقع الملف علي الشبكة أو علي الجهاز "> > /Script> ملاحظات علي كتابة الأوامر في ا
قراءة المزيد

مسائل علي الترانزستورات MOSFET

صورة
مسائل مسألة 1 ترانزستور MOSFET من النوع المقلل (depletion) له المعطيات التالية : IDSS = 10mA; VGS,of = -4V أوجد قيم I D R DS , g m , عندما تكون V G = -2V و V G = +2V . أفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل :   مسألة (2) : ترانزستور MOSFET من النوع المعزز له البارامترات التالية : V GS,th = +2v; وعند V GS يساوي (+4V) كان ID = 12mA أوجد R DS , gm, k بفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل : من أجل حساب k استخدم معادلة تيار المصرف في المنطقة الفعالة : I D = k (V GS – V GS,th )2 ومن هذه المعادلة تحصل علي : ومن أجل إيجاد g m , استخدم العلاقة التالية : وعندها يمكن حساب المقاومة R DS من العلاقة : R DS = (1/gm) = 83Ω مسألة (3) : في دارة الشكل يوجد ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز له V GS,off = -4V , I DSS = 10mA . المقاومة R D = 1kΩ وجهد التغذية المستمر V DD = +20V . أوجد الربح (V out / V in ) . يمكن باستخدام قوانين كيرشوف وأوم الحصول علي المعادلات التالية : V DD = V DS + I DRD V DD = V D
قراءة المزيد