توقيت الـ ram الرئيسية:

يتم التوقيت الأساسي للـ ram عن طريق (TD1) TTL delay line. ويتم إشعال نظام الذاكرة عن طريق الإشارة xmemr أو الإشارة xmemw وتوضح هذه الإشارات أن المطلوب هو الكتابة أو القراءة كما هو مبين في شكل 13-5

علماً بأن شكلي 13-5 و 14-5 يوضحان أن الإشارات xmemr أو xmemw تولد إشارة ras الابتدائية. ويتم اختيار البنك (bank) عن طريق خطوط العنوان a17, a16

ويقوم خطي العنوان A17, a16 بتشغيل فاكك الشفرة واحد من ثمانية U65 لاختيار أحد بنوك الـ ram الأربعة.

PC hardware course in arabic-20131211064507-00014_03

وفي هذه الأثناء يصل خطوط العنوان لرقاقات الـ Ram (الخطوط ma0-ma7) معلومات المواقع الثنائية الأدنى من العنوان وذلك عن طريق U79, U62 (quad 2-line to 1-line multiplexer) وبعد إمرارها بسقاطه كما هو مبين في شكل 14-5

PC hardware course in arabic-20131211064507-00014_06

بعد زمن 75 نانو ثانية فإن Td1 ينشط الخط add sel الموصل بكل من الـ (74ls158) U79,u62 multiplexers مما يسبب التحول من خطوط العنوان الأدنى أهمية إلى خطوط العنوان الأقصى أهمية. وبعد خمسون نانو ثانية أخرى (أي 125 نانو ثانية من البداية) فإن الخط addr sel يصبح غير فعال ويتسبب td1 في جعل الخط cas فعالاً من خلال u81 كما هو مبين في شكل 15-5

PC hardware course in arabic-20131211064523-00015_03

عندئذ يتم اختيار أحد بنوك الـ Ram بواسطة فاكك شفره واحد من ثمانية U47 حيث يتم تنشيط أحد الخطوط cas0-cas3

يتم ربط خطوط بيانات الناقلة (d0-d1) بخطوط بيانات رقاقات الـ (md0-md1) ram عن طريق رقاقة الوحدات الوسيطة (مرسل/مستقبل) u12 ويتم تمكين هذا الرقاقة عن طريق الخط ram addr sel ويتم التحكم في اتجاه البيانات عن طريق الخط xmemr من الناقلة. يمر خط تمكين الكتابة على رقاقة الـ ram شكل 9-5

تعليقات

إرسال تعليق

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

صورة
الشاشة الإفتتاحية لإكسل : المكونات الرئيسية لنافذة برنامج الأكسل § الأعمدة : كل عمود يرمز له بحرف من (IV-A) = 256 عمود وتشتمل الشاشة الواحدة علي (^) عمود ما لم تتغير مساحة الأعمدة من حجم النافذة . § السطور ( الصفوف ) تأخذ أرقاما متسلسلة من ( 1 – 55366( § الخلية تطلق علي نقطة تقاطع العمود مع السطر علي صفحة البيانات ولكل خلية عنوان مميز يتكون من إسم العمود ورقم السطر المتقاطعين (A1) . عدد الخلايا < 4 مليون خلية = ( 256 X 65536 ) § الخلية النشطة هي الخلية التي يحيط بها برواز يسمي ( مؤشر الخلية ) ويظهر عنوانها دائما في شريط المعادلة وهي الخلية التي تستقبل المخلات من لوحة المفاتيح . ويمكن إتساع الخلية من شريط الافقي وذلك بتحريك عن طريق الماوس باستمرار الضغط عليه وتركه حسب المساحة المطلوبة . § شريط العنوان يشتمل علي إسم المستند (BOOK1) ( اسم البرنامج + اسم المستند + أزرار التحكم ) § شريط أدوات التنسيق قضيب يشتمل علي أدوات تستخدم لتنفيذ عمليات توفر وقتك ويمكن من خلاله اختيار نوع الخط وحجمها – تنسيق فقرة الكتابة – الضبط الكلي لفقرة الكتابة – تغيير لون الخ
قراءة المزيد

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

صورة
أوامر الجافا سكريبت :- الجافا سكريبت لغة تعتمد علي الكائنات البرمجية , وهو الشئ الذي يمنحها قوة في الإستخدام , لكن أين نكتب أوامر الجافا سكريبت :- 1- في منطقة الرأس ( Head) الخاصة بكود HTMl 2- في منطقة الجسم ( Body) الخاصة بكود HTML ولا قيود علي مبرمج الجافا أن يضع أوامر الجافا سكريبت في منطقة الرأس أو الجسم , لكن راعي أن أوامر الإخراج – وهي الأوامر التي من اختصاصها أن تظهر ناتج الكود البرمجي علي المتصفح – لابد وأن تكتب في منطقة الجسم (Body) أو في المكان الذي تريده أن يظهر فيه ناتج السكريبت , أما عند كتابة أمر الإخراج في منطقة الرأس (Head) فإنه يعمل علي كتابة ناتج هذا الأمر قبل البدء في أي أوامر تختص بمنطقة الجسم ( Body) . هناك ميزة أخري في الجافا سكريبت وهو أنه يمكنك كتابة كود الجافا سكريبت في ملف خارجي (كما هو الحال في CSS ) , ويكون امتداد ذلك الملف (* .Js) ,   وتكون صيغةالربط بينصفحتك وملف الجافا كالآتي :- > Script Language = " javascript" src = " موقع الملف علي الشبكة أو علي الجهاز "> > /Script> ملاحظات علي كتابة الأوامر في ا
قراءة المزيد

مسائل علي الترانزستورات MOSFET

صورة
مسائل مسألة 1 ترانزستور MOSFET من النوع المقلل (depletion) له المعطيات التالية : IDSS = 10mA; VGS,of = -4V أوجد قيم I D R DS , g m , عندما تكون V G = -2V و V G = +2V . أفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل :   مسألة (2) : ترانزستور MOSFET من النوع المعزز له البارامترات التالية : V GS,th = +2v; وعند V GS يساوي (+4V) كان ID = 12mA أوجد R DS , gm, k بفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل : من أجل حساب k استخدم معادلة تيار المصرف في المنطقة الفعالة : I D = k (V GS – V GS,th )2 ومن هذه المعادلة تحصل علي : ومن أجل إيجاد g m , استخدم العلاقة التالية : وعندها يمكن حساب المقاومة R DS من العلاقة : R DS = (1/gm) = 83Ω مسألة (3) : في دارة الشكل يوجد ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز له V GS,off = -4V , I DSS = 10mA . المقاومة R D = 1kΩ وجهد التغذية المستمر V DD = +20V . أوجد الربح (V out / V in ) . يمكن باستخدام قوانين كيرشوف وأوم الحصول علي المعادلات التالية : V DD = V DS + I DRD V DD = V D
قراءة المزيد