شفرة تصحيح الخطأ ERROR و أنواع الذاكرة وتوقيت الـ DRAM

أتت فكرة الـ ECC كمرحلة تالية لفكرة الـ parity وفكرة الـ Ecc غير موجود ة إلا في موديولات الـ 72-pyn وا لـ 168—5n فقط حيث توضع bits bits المطابقة لمجموعات الـ Ecc مع بعضها في Cluster واحد . (كومة واحدة ) يتم تنفيذ سلسلة من الإجراءات "Algorithm" علي بلوك المعلومات بكاملة الذي يعامل بواسطة الرقاقة ) 32-pit في حالة الموديول 64-pit -, 72 pin SIMM في حالة الموديول (168-pin DIMM ثم يتم تخزين نتائج الحسابات في الـ Ecc cluster عند هبوط أي pit من المعلومات فا من المعلومات فانه لا يكتشف فقطل أيضا يتم تصحيحه دون أن يشعر المستخدم بحدوث آي شي.

2

لكي تعمل الـ Ecc فلابد من تدعيم الـ ٍSystm Bios لها , علاوة علي أن الـ Cmos يجب ان تكون مضبوطة علي خيار الـ Ecc. في كثير من النظم , يحتاج الأمر إلي ضبطين Two Adjustments . الأول خاص بتشغيل الـ ,parity Checking والضبط الثاني يختص بإخبار النظام استخدام أسلوب الـ (Ecc Mode) Ecc في النظم التي بها هذين الضبطين لا بد من توصيف كل منهما ( أي تحديد خيار كل منهما ) وهناك نظم أخري فيها خيار تمكين الـ (Enable Ecc) Ecc

أنواع الذاكرة وتوقيت الـ DRAM:

تقدمت صناعة الذاكرة علي مر السنين , ومن التغيرات التي طرأت توقيت الـ (DRAM Ti

ming) DRAM . لا يمتثل في معدل الإنعاش Refresh Rates فقط ولكن أيضا معدلات الـ RAS ( توقيت عنونة الصف ) ومعدلات الـ CAS ( توقيت عنونة العمود ) . من أفضل التحسينات استطاعة مهندسي هذه الصناعة أن يتوصلوا إلي طريقة لحذف Cycle من عملية القراءة . كان لهذه ضرورة ملحة مع ارتفاع سرعة المعالجات ودخول الذاكرة مشكلة عنق الزجاجة .

تعليقات

إرسال تعليق

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

صورة
الشاشة الإفتتاحية لإكسل : المكونات الرئيسية لنافذة برنامج الأكسل § الأعمدة : كل عمود يرمز له بحرف من (IV-A) = 256 عمود وتشتمل الشاشة الواحدة علي (^) عمود ما لم تتغير مساحة الأعمدة من حجم النافذة . § السطور ( الصفوف ) تأخذ أرقاما متسلسلة من ( 1 – 55366( § الخلية تطلق علي نقطة تقاطع العمود مع السطر علي صفحة البيانات ولكل خلية عنوان مميز يتكون من إسم العمود ورقم السطر المتقاطعين (A1) . عدد الخلايا < 4 مليون خلية = ( 256 X 65536 ) § الخلية النشطة هي الخلية التي يحيط بها برواز يسمي ( مؤشر الخلية ) ويظهر عنوانها دائما في شريط المعادلة وهي الخلية التي تستقبل المخلات من لوحة المفاتيح . ويمكن إتساع الخلية من شريط الافقي وذلك بتحريك عن طريق الماوس باستمرار الضغط عليه وتركه حسب المساحة المطلوبة . § شريط العنوان يشتمل علي إسم المستند (BOOK1) ( اسم البرنامج + اسم المستند + أزرار التحكم ) § شريط أدوات التنسيق قضيب يشتمل علي أدوات تستخدم لتنفيذ عمليات توفر وقتك ويمكن من خلاله اختيار نوع الخط وحجمها – تنسيق فقرة الكتابة – الضبط الكلي لفقرة الكتابة – تغيير لون الخ
قراءة المزيد

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

صورة
أوامر الجافا سكريبت :- الجافا سكريبت لغة تعتمد علي الكائنات البرمجية , وهو الشئ الذي يمنحها قوة في الإستخدام , لكن أين نكتب أوامر الجافا سكريبت :- 1- في منطقة الرأس ( Head) الخاصة بكود HTMl 2- في منطقة الجسم ( Body) الخاصة بكود HTML ولا قيود علي مبرمج الجافا أن يضع أوامر الجافا سكريبت في منطقة الرأس أو الجسم , لكن راعي أن أوامر الإخراج – وهي الأوامر التي من اختصاصها أن تظهر ناتج الكود البرمجي علي المتصفح – لابد وأن تكتب في منطقة الجسم (Body) أو في المكان الذي تريده أن يظهر فيه ناتج السكريبت , أما عند كتابة أمر الإخراج في منطقة الرأس (Head) فإنه يعمل علي كتابة ناتج هذا الأمر قبل البدء في أي أوامر تختص بمنطقة الجسم ( Body) . هناك ميزة أخري في الجافا سكريبت وهو أنه يمكنك كتابة كود الجافا سكريبت في ملف خارجي (كما هو الحال في CSS ) , ويكون امتداد ذلك الملف (* .Js) ,   وتكون صيغةالربط بينصفحتك وملف الجافا كالآتي :- > Script Language = " javascript" src = " موقع الملف علي الشبكة أو علي الجهاز "> > /Script> ملاحظات علي كتابة الأوامر في ا
قراءة المزيد

مسائل علي الترانزستورات MOSFET

صورة
مسائل مسألة 1 ترانزستور MOSFET من النوع المقلل (depletion) له المعطيات التالية : IDSS = 10mA; VGS,of = -4V أوجد قيم I D R DS , g m , عندما تكون V G = -2V و V G = +2V . أفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل :   مسألة (2) : ترانزستور MOSFET من النوع المعزز له البارامترات التالية : V GS,th = +2v; وعند V GS يساوي (+4V) كان ID = 12mA أوجد R DS , gm, k بفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل : من أجل حساب k استخدم معادلة تيار المصرف في المنطقة الفعالة : I D = k (V GS – V GS,th )2 ومن هذه المعادلة تحصل علي : ومن أجل إيجاد g m , استخدم العلاقة التالية : وعندها يمكن حساب المقاومة R DS من العلاقة : R DS = (1/gm) = 83Ω مسألة (3) : في دارة الشكل يوجد ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز له V GS,off = -4V , I DSS = 10mA . المقاومة R D = 1kΩ وجهد التغذية المستمر V DD = +20V . أوجد الربح (V out / V in ) . يمكن باستخدام قوانين كيرشوف وأوم الحصول علي المعادلات التالية : V DD = V DS + I DRD V DD = V D
قراءة المزيد