الذاكرة DRAM والـ SRAM
الذاكرة DRAM:
dram هي ذاكرة ram الديناميكية " dynamic ram " في رقاقات chips هذا النوع من الذاكرة ترتب الخلايا على شكل مصفوفة Array . خلايا هذه المصفوفة عبارة عن ترانزستورات ميكروسكوبية موصلة بمكثفات كهربية . عندما يتم شحن اى من هذه المكثفات فإنه يمثل bit قيمته 1 بينما عند تفريغ اى من هذه المكثفات فإنه يمثل bit قيمته 0 . أي أن المعلومات يتم تخزينها في خلايا ذاكرة DRAM على هيئة شحنات كهربية . نفرض أن لدينا رقاقة ذاكرة أبعاده 4×4m , فإن هذا يعنى أن عمق المصفوفة 4m-bit ( 4 ميجا بايت ) وعرض البيانات 4-bit ويعني هذا أيضاً أن كل صف يحتوى على 4-bit , إذن المصفوفة ذات 4 أعمدة "4-Column" يكون معدل الإنعاش refresh rate على حسب عدد الأعمدة الموجودة في مصفوفة dram يبين الشكل مخطط صندوقي لرقاقة الذاكرة dram سعة 2 kb يعنون الصف أولاً عن طريق سبعة خطوط عنوان 0 A6…..A1…..A 0) ) ثم يعنون العمود ثانياً عن طريق نفس خطوط العنوان ( عنوان العمود A13…..A8…..A7 ) أبعاد مصفوفة ألـــ DRAM في هذه الرقاقة هي 128 صف × 128 عمود
الجزء الأول من عملية الإنعاش هو أولاً تحديد لكل خلية على حده إن كانت تحتوي على معلومة 0 أم معلومة 1 يتم هذا عن طريق تحديد قيمة الشحنة النسبية الخاصة لكل خلية . إذا كانت شحنة الخلية 0 اقل من النصف إذن تحددت المعلومة بالخلية على أنها " 0 " ولا يعاد شحن هذه الخلية . أما إن كانت شحنة الخلية أكبر من النصف , إذن تحددت المعلومة بهذه الخلية على أنها " 1 " وبالتالي يعاد شحن هذه الخلية .
تصمم رقاقات CHIP ألـــ DRAM على أساس متطلبات الإنعاش REFRESH بهذه الرقاقة . فمثلاً عندما يقال لرقاقة أنها 4K REFRESH
فإن هذا يعنى أن الرقاقة بها 4000 عمود تحتاج إلى إنعاش . وتحدد سعة Capacity الرقاقة عن طريق ثلاث عوامل هي عرض البيانات bit width وعدد الأعمدة Columns وعدد الصفوف ROWS وبالتالي فإن السعة تحسب كما يلي
BIT WIDTH× ROMS × Capacity = COLUMNS
كثير من الشركات يستخدمون مصطلح الكثافة DENSITY بدلاً من السعه .
في جهاز الكمبيوتر يجب أن يكون كل من أل RAM ورقاقة ألــ CHIPSET متزامنين SYNCHRONIZED ليكون كل منهما ملائم للآخر . في معظم أجهزة الكمبيوتر تجد أن هناك بعض التضبيطات SETTING الخاصة بتوقيتات الذاكرة MEMORY TIMING موجودة بذاكرة أل CMOS , من الأفضل أن يتم ضبط هذه التوقيعات عن طريق الفنيين وليس المستخدم العادي
الذاكرة SRAM :
ذاكرة SRAM هي RAM استاتيكيه وتستخدم في ذاكرة أل CACHE بأجهزة الكمبيوتر. تتميز ذاكرة ألــ SRAM عن ألــ DRAM بأنها أسرع بأسرع بكثير جداً خصوصاً لأنها لا تحتاج لدورات إنعاش . خلية ألـ SRAM عبارة عن قلاب ثنائي الاستقرار BISTABLE FLIP – FLOP , تصنع الخلية من مجموعة من الترانزستور في الغالب عددها ستة , وممكن أن تكون هذه الترانزستورات من النوع MOS (ترانزستورات تأثير المجال ) يبين الشكل خلية SRAM صنعت بترانزستور MOS . يعيب ذاكرة أل SRAM أنها غالية الثمن وأن الخلية تحتاج إلى حيز أكبر علاوة على حاجتها إلى قدرة كهربية أكبر , وأخيراً أن حرارتها ترتفع أكثر . لهذه الأسباب الأربعة لا تستخدم أل SRAM كذاكرة رئيسية في الكمبيوت بشكل واسع
ما الفرق بينهم
ردحذفما الفرق مابينهم
ردحذف