إنعاش ram-1 الرئيسية:

حيث أن ذاكرة ram-1 المستخدمة في الحاسب من النوع ذاكرة ram ديناميكية، لذا فإنها تحتاج إلى دورات إنعاش بمعدل مرة كل 2 مللي ثانية على الأقل ولا تكون هناك حاجة لهذه الدورات في حالة دورات القراءة المتعاقبة من الـ rom، بينما في حالة قراءة الـ rom أو دورات الانتظار يكون غير مطلوب الوصول للذاكرة الـ ram لذا يمكن عمل دورات الإنعاش في هذه الحالات ولكي يتم أداء دورة إنعاش فيجب الوصول إلى 128 صف من الـ ram كل 2 مللي ثانية أو أقل.

والدائرة المستخدمة هنا بسيطة جداً وتعتمد كلياً على الرقاقة (dma controller) 8237a-5 والرقاقة 8253 timer.

images1212

يتم توليد إشارة طلب وصول مباشر للذاكرة (dma request) على الخط dreq0 بمعدل مرة كل 72 نبضة ساعة (clocks) أي كل 15 ميكرو ثانية ويتحدد هذا المعدل عن طريق الـbios ram والـ timer channel تبدأ دورة الإنعاش في لحظة أن تصل Channel 1 وقت الضبط المسبق للعد ( preset time count يصبح الطرف 13 برقاقة الـ u34 timer (عالي) بذلك ينشط طرف طلب الإنعاش (الطرف 11) بقلاب الرقاقة u67 وعند حافة الصعود لخرج الـ timer فإن الخرج q (الطرف 9) لقلاب الرقاقة u69 يصبح فعالاً (عالي) يسبب هذا حدوث دورة dma بمجرد أن حاكم الـ dma يكون ready فيسبب حاكم الـ dma في أن تصبح الإشارة.

dack فعالة (عالي) التي بدورها تقوم بتنشيط الصفوف الأربعة الـram (الخط ras يصبح منخفض) وبالتالي يتم إنعاش بنوك ram الأربعة في لحظة واحدة عن طريق البوابة u81 كما هو مبين بشكل 18-5 علماً بأنه لا يتم استخدام قراءة البيانات أثناء دورة الإنعاش.

تعليقات

إرسال تعليق

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

صورة
الشاشة الإفتتاحية لإكسل : المكونات الرئيسية لنافذة برنامج الأكسل § الأعمدة : كل عمود يرمز له بحرف من (IV-A) = 256 عمود وتشتمل الشاشة الواحدة علي (^) عمود ما لم تتغير مساحة الأعمدة من حجم النافذة . § السطور ( الصفوف ) تأخذ أرقاما متسلسلة من ( 1 – 55366( § الخلية تطلق علي نقطة تقاطع العمود مع السطر علي صفحة البيانات ولكل خلية عنوان مميز يتكون من إسم العمود ورقم السطر المتقاطعين (A1) . عدد الخلايا < 4 مليون خلية = ( 256 X 65536 ) § الخلية النشطة هي الخلية التي يحيط بها برواز يسمي ( مؤشر الخلية ) ويظهر عنوانها دائما في شريط المعادلة وهي الخلية التي تستقبل المخلات من لوحة المفاتيح . ويمكن إتساع الخلية من شريط الافقي وذلك بتحريك عن طريق الماوس باستمرار الضغط عليه وتركه حسب المساحة المطلوبة . § شريط العنوان يشتمل علي إسم المستند (BOOK1) ( اسم البرنامج + اسم المستند + أزرار التحكم ) § شريط أدوات التنسيق قضيب يشتمل علي أدوات تستخدم لتنفيذ عمليات توفر وقتك ويمكن من خلاله اختيار نوع الخط وحجمها – تنسيق فقرة الكتابة – الضبط الكلي لفقرة الكتابة – تغيير لون الخ
قراءة المزيد

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

صورة
أوامر الجافا سكريبت :- الجافا سكريبت لغة تعتمد علي الكائنات البرمجية , وهو الشئ الذي يمنحها قوة في الإستخدام , لكن أين نكتب أوامر الجافا سكريبت :- 1- في منطقة الرأس ( Head) الخاصة بكود HTMl 2- في منطقة الجسم ( Body) الخاصة بكود HTML ولا قيود علي مبرمج الجافا أن يضع أوامر الجافا سكريبت في منطقة الرأس أو الجسم , لكن راعي أن أوامر الإخراج – وهي الأوامر التي من اختصاصها أن تظهر ناتج الكود البرمجي علي المتصفح – لابد وأن تكتب في منطقة الجسم (Body) أو في المكان الذي تريده أن يظهر فيه ناتج السكريبت , أما عند كتابة أمر الإخراج في منطقة الرأس (Head) فإنه يعمل علي كتابة ناتج هذا الأمر قبل البدء في أي أوامر تختص بمنطقة الجسم ( Body) . هناك ميزة أخري في الجافا سكريبت وهو أنه يمكنك كتابة كود الجافا سكريبت في ملف خارجي (كما هو الحال في CSS ) , ويكون امتداد ذلك الملف (* .Js) ,   وتكون صيغةالربط بينصفحتك وملف الجافا كالآتي :- > Script Language = " javascript" src = " موقع الملف علي الشبكة أو علي الجهاز "> > /Script> ملاحظات علي كتابة الأوامر في ا
قراءة المزيد

مسائل علي الترانزستورات MOSFET

صورة
مسائل مسألة 1 ترانزستور MOSFET من النوع المقلل (depletion) له المعطيات التالية : IDSS = 10mA; VGS,of = -4V أوجد قيم I D R DS , g m , عندما تكون V G = -2V و V G = +2V . أفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل :   مسألة (2) : ترانزستور MOSFET من النوع المعزز له البارامترات التالية : V GS,th = +2v; وعند V GS يساوي (+4V) كان ID = 12mA أوجد R DS , gm, k بفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل : من أجل حساب k استخدم معادلة تيار المصرف في المنطقة الفعالة : I D = k (V GS – V GS,th )2 ومن هذه المعادلة تحصل علي : ومن أجل إيجاد g m , استخدم العلاقة التالية : وعندها يمكن حساب المقاومة R DS من العلاقة : R DS = (1/gm) = 83Ω مسألة (3) : في دارة الشكل يوجد ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز له V GS,off = -4V , I DSS = 10mA . المقاومة R D = 1kΩ وجهد التغذية المستمر V DD = +20V . أوجد الربح (V out / V in ) . يمكن باستخدام قوانين كيرشوف وأوم الحصول علي المعادلات التالية : V DD = V DS + I DRD V DD = V D
قراءة المزيد