أشياء هامة يجب أن تعرفها عن ترانزستورات MOSFET

أشياء هامة يجب أن تعرفها عن ترانزستورات MOSFET

لترانزستور MOSFET أربع أرجل وتسمي الرجل الرابعة للترانزستور باسم رجل الجسم (طرفية الجسم body terminal ) , وتشكل هذه الرجل متصلا ديوديا ((diode junction مع القنال بين المصرف والمنبع ويجب أن توصل هذه الرجل إما مع المنبع , أو مع أية نقطة في الدارة جهدها أكثر سلبية من المنبع (في العناصر ذات القنال n ) , أو مع نقطة أكثر إيجابية من المنبع في العناصر ذات القنال (p) . إذا فصلت هذه الرجل والتي تسمي أيضا باسم القاعدة (base) عن المنبع ووصلت إلي جهد يختلف عن جهد المنبع فإن ذلك يؤدي إلي إزاحة الجهد (VGS,th) بقيمة تساوي معادلة وبإتجاه يؤدي إلي نقصان تيار المصرف عند قيمة معطاة لـــ (VGS) . أحيانا يكون من الضروري إزاحة جهد العتبة من أجل موازنة (معاكسة) تأثير تيارات التسريب وكذلك تأثير السعات و قطبيات الإشارات تستخدم رجل القاعدة في ترانزستورات (MOSFET) لتحديد نقطة عمل الترانزستور بتطبيق إشارة متناوبة متزايدة علي بوابة الترانزستور .

semiconductor-illustrated_Page_46_10

الشكل : نماذج ترانزستورات MOSFET وتسميات أرجلها

ترانزستورات MOSFET والشحنات الساكنة

تعتبر ترانزستورات MOSFET ضعيفة من حيث مقاومتها للتعطل السريع وذلك بسبب سهولة تخرب العازل الأوكسيدي بين البوابة والقنال بالقذف الإلكتروني الذي ينتج عن الأجسام ذات الشحنات الساكنة فمثلا يمكن تخرب هذا العازل ببساطة إذا لمست بوابة الترانزستور بعد أن تكون قد مشيت علي سجادة , فهذه الشحنة التي اكتسبتها من خلال المشي علي السجادة قد تجعل جسمك مساويا عدة ألاف الفولت , ولكن تيار التفريغ ليس تيارا كبيرا ومع ذلك فإنه كاف لتخريب العازل لأن طبقة الأوكسيد رقيقة جدا (إن سعة قنال من مرتبة بضعة pF) ولذلك فإن تيارا صغيرا يمكن أن يخرب الترانزستور . عند تركيب ترانزستورات MOSFET يجب تفريغ كافة الشحنات الساكنة من أدوات العمل , وفي الفصل الرابع عشر من هذا الكتاب سوف تجد توجيهات حول كيفية التعامل مع العناصر الإلكترونية التي تتأثر بالشحنات الساكنة .

أنواع ترانزستورات MOSFET

تتوفر ترانزستورات MOSFET مثل غيرها من الترانزستورات إما بغلاف بلاستيكي أو بغلاف معدني . تزود ترانزستورات MOSFET الاستطاعية بلسان (عروة ) معدني كي يتم بواسطته تثبيت الترانزستور علي جسم التبريد . تتوفر دارات تكاملية من نوع MOSFET وتستخدم للقيادة علي وضعيات (HIGH) أو (Low) وتحوي هذه الدارات ضمنها علي ترانزستورات MOSFET مستقلة ويمكن أن تتعامل مع الإشارات الرقمية . وهذه الدارات المتكاملة تكون عادة من الأنواع التي لها صفان متناظران من الأرجل DIP . البارامترات التي يجب أن تنتبه إليها عند شراء ترانزستور MOSFET هي جهود الانهيار و ID,max ، RDS(on) , وتبديد الاستطاعة (power dissipation) وسرعة الفتح والإغلاق (switching speed) , والحماية من تفريغ الشحنات الساكنة .

semiconductor-illustrated_Page_53_03

الشكل : أشكال ترانزستورات MOSFET

تعليقات

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

مسائل علي الترانزستورات MOSFET