مسائل علي الترانزستورات MOSFET

مسائل

مسألة 1

ترانزستور MOSFET من النوع المقلل (depletion) له المعطيات التالية :

IDSS = 10mA; VGS,of = -4V

أوجد قيم ID RDS , gm , عندما تكون VG = -2V و VG = +2V .

أفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة .

الحل :

 

semiconductor-illustrated_Page_50_07

مسألة (2) :

ترانزستور MOSFET من النوع المعزز له البارامترات التالية :

VGS,th = +2v;

وعند VGS يساوي (+4V) كان ID = 12mA أوجد RDS, gm, k بفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة .

الحل :

semiconductor-illustrated_Page_51_03

من أجل حساب k استخدم معادلة تيار المصرف في المنطقة الفعالة :

ID = k (VGS – VGS,th)2

ومن هذه المعادلة تحصل علي :

semiconductor-illustrated_Page_51_08

ومن أجل إيجاد gm , استخدم العلاقة التالية :

semiconductor-illustrated_Page_51_10

وعندها يمكن حساب المقاومة RDS من العلاقة :

RDS = (1/gm) = 83Ω

مسألة (3) :

في دارة الشكل يوجد ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز له VGS,off = -4V , IDSS = 10mA . المقاومة RD = 1kΩ وجهد التغذية المستمر VDD = +20V . أوجد الربح (Vout / Vin) .

semiconductor-illustrated_Page_51_13

يمكن باستخدام قوانين كيرشوف وأوم الحصول علي المعادلات التالية :

VDD = VDS + IDRD

VDD = VD + IDRD

وفي المعادلة الأخيرة لا تلاحظ أن VDS = VD وذلك لأن المنبع موصول مع الأرضي :

VDS = VD – VS = VD – 0 = VD

المقاومة (1MΩ)هي مقاومة استقطاب ذاتي (self-biasing resistor) وتستخدم هذه المقاومة لتعويض تيارات التسريب (leakage currents) وغيرها من البارامترات التي يمكن أن تقود الـــ MOSFET إلي عدم التسريب صغيرة جدا (من مرتبة الناتو أمبير nA أو البيكو أمبير pA ) . بفرض عدم وجود إشارة دخل يمكن اعتبار ID = IDSS وهذا يعني أن :

VD = VDD – IDSS.RD

= 20V – (10mA)(1kΩ) = 10V

استخدام المعادلة التالية من أجل حساب الربح :

semiconductor-illustrated_Page_51_23semiconductor-illustrated_Page_51_25

وبتعويض هذه القيمة في معادلة الربح تحصل علي :

Gain = (5000µmho)(1kΩ) = 5

 

مسألة (4) :

في دارة الشكل يستخدم ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز له (k = 1000µmho/v) و VGS,th = 2v ومعطيات الدارة هي :

VGS = 5V و VDD = 20V . احسب RD واحسب الربح .

semiconductor-illustrated_Page_51_27

الحل :

نوجد تيار المصرف من العلاقة :

ID = k(VGS – VGS,th)2

= (1000µmho/V)(5V – 2V)2 = 9mA

من أجل حساب RD نستخدم قانون أوم :

semiconductor-illustrated_Page_51_31

وظيفة المقاومة 1Mµ في هذه الدارة هي نفس وظيفة المقاومة 1MΩ في دارة المسألة السابقة . من أجل إيجاد الربح يجب معرفة قيمة gm :

gm = 2k(VGS – VGS,th) = 2(1000µmho/V)(5V – 2V)

= 6000µmho

نعوض قيمة (gm) في معادلة الربح :

Gain = (Vout / Vin = gm RD = (6000µmho)(1100Ω) = 6.6

تعليقات

إرسال تعليق

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

مقدمة عن برنامج الأكسل Excel ( الجداول الألكترونية )