اعتبارات عملية علي الترانزستورات Trinsistors
اعتبارات عملية
تصنف الترانزستورات الحقلية عمليا إلي المجموعات التالية :
· ترانزستورات تستخدم عادة لتوصل المنابع ذوات ممانعات الخرج العالية مع مضخم أو مع جهاز كراسم إشارة مثلا (oscilloscope) . كما تستخدم هذه الترانزستورات أيضا كمفاتيح متحكم بها جهديا .
· ترانزستورات حقلية للتراددات العالية (High frequency JFETs) وتستخدم بشكل أساسي لتضخيم الإشارات عالية التردد (مجال الترددات RF) , أو تستخدم كمفاتيح تعمل بترددات فتح وإغلاق عالية .
· ترانزستور JFET المضاعفة (Dual JFETs) ويحوي الغلاف الواحد من هذه الترانزستورات علي ترانزستورين متوافقين (two matched JFETs) . وكما ذكرنا سابقا يمكن أن تستخدم أزواج ترانزستورات JFET المتوافقة لتحسين خطية تابع المنبع يبين الشكل أشكال نماذج الترانزستورات الحقلية المذكورة هنا .
الشكل : أشكال الترانزستورات الحقلية
الترانزستور الحقلي , وكما هي الحال في الترانزستورات ثنائية القطبية , يمكن أن يتخرب إذا تم تجاوز التيارات والجهود وعند استخدام الترانزستور الحقلي يجب عليك أن تتأكد من عدم تجاوز جهود الانهيار وتياراته . يبين الجدول نموذجا لقيم جهود وتيارات حدية لبعض أنواع الترانزستورات الحقلية , ويعطيك هذا الجدول بعض القيم لبارامترات ترانزستور حقلي من طراز معين .
الجدول : جزء من جدول مواصفات ترانزستورات حقلية
| VGS,OFF | IDSS |
| |||||||
|
| (V) | (mA) |
| ||||||
| CRSS | CISS | GM TYPICAL | MAX | MIN | MAX | MIN | BVGS(V) | POLARITY | TYPE |
| (pF) | (pF) | (umho) | (V) | (V) | (mA) | (mA) |
| ||
| 3 | 7 | 3000 | -6 | -0.5 | 5 | 1 | 25 | n-ch | 2N5457 |
| 2 | 7 | 3000 | 6 | 1 | 5 | 1 | 40 | p-ch | 2N5460 |
| 2 | 6 | 3500 | -4.5 | -0.5 | 8 | 0.5 | 50 | Matched-pair n-ch | 2N5045 |
تعليقات
إرسال تعليق