اعتبارات عملية علي الترانزستورات Trinsistors

اعتبارات عملية

تصنف الترانزستورات الحقلية عمليا إلي المجموعات التالية :

· ترانزستورات تستخدم عادة لتوصل المنابع ذوات ممانعات الخرج العالية مع مضخم أو مع جهاز كراسم إشارة مثلا (oscilloscope) . كما تستخدم هذه الترانزستورات أيضا كمفاتيح متحكم بها جهديا .

· ترانزستورات حقلية للتراددات العالية (High frequency JFETs) وتستخدم بشكل أساسي لتضخيم الإشارات عالية التردد (مجال الترددات RF) , أو تستخدم كمفاتيح تعمل بترددات فتح وإغلاق عالية .

· ترانزستور JFET المضاعفة (Dual JFETs) ويحوي الغلاف الواحد من هذه الترانزستورات علي ترانزستورين متوافقين (two matched JFETs) . وكما ذكرنا سابقا يمكن أن تستخدم أزواج ترانزستورات JFET المتوافقة لتحسين خطية تابع المنبع يبين الشكل أشكال نماذج الترانزستورات الحقلية المذكورة هنا .

semiconductor-illustrated_Page_45_03

الشكل : أشكال الترانزستورات الحقلية

الترانزستور الحقلي , وكما هي الحال في الترانزستورات ثنائية القطبية , يمكن أن يتخرب إذا تم تجاوز التيارات والجهود وعند استخدام الترانزستور الحقلي يجب عليك أن تتأكد من عدم تجاوز جهود الانهيار وتياراته . يبين الجدول نموذجا لقيم جهود وتيارات حدية لبعض أنواع الترانزستورات الحقلية , ويعطيك هذا الجدول بعض القيم لبارامترات ترانزستور حقلي من طراز معين .

الجدول : جزء من جدول مواصفات ترانزستورات حقلية

VGS,OFF

IDSS

 

 

(V)

(mA)

 

CRSS

CISS

GM TYPICAL

MAX

MIN

MAX

MIN

BVGS(V)

POLARITY

TYPE

(pF)

(pF)

(umho)

(V)

(V)

(mA)

(mA)

 

3

7

3000

-6

-0.5

5

1

25

n-ch

2N5457

2

7

3000

6

1

5

1

40

p-ch

2N5460

2

6

3500

-4.5

-0.5

8

0.5

50

Matched-pair n-ch

2N5045

تعليقات

إرسال تعليق

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

صورة
الشاشة الإفتتاحية لإكسل : المكونات الرئيسية لنافذة برنامج الأكسل § الأعمدة : كل عمود يرمز له بحرف من (IV-A) = 256 عمود وتشتمل الشاشة الواحدة علي (^) عمود ما لم تتغير مساحة الأعمدة من حجم النافذة . § السطور ( الصفوف ) تأخذ أرقاما متسلسلة من ( 1 – 55366( § الخلية تطلق علي نقطة تقاطع العمود مع السطر علي صفحة البيانات ولكل خلية عنوان مميز يتكون من إسم العمود ورقم السطر المتقاطعين (A1) . عدد الخلايا < 4 مليون خلية = ( 256 X 65536 ) § الخلية النشطة هي الخلية التي يحيط بها برواز يسمي ( مؤشر الخلية ) ويظهر عنوانها دائما في شريط المعادلة وهي الخلية التي تستقبل المخلات من لوحة المفاتيح . ويمكن إتساع الخلية من شريط الافقي وذلك بتحريك عن طريق الماوس باستمرار الضغط عليه وتركه حسب المساحة المطلوبة . § شريط العنوان يشتمل علي إسم المستند (BOOK1) ( اسم البرنامج + اسم المستند + أزرار التحكم ) § شريط أدوات التنسيق قضيب يشتمل علي أدوات تستخدم لتنفيذ عمليات توفر وقتك ويمكن من خلاله اختيار نوع الخط وحجمها – تنسيق فقرة الكتابة – الضبط الكلي لفقرة الكتابة – تغيير لون الخ
قراءة المزيد

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

صورة
أوامر الجافا سكريبت :- الجافا سكريبت لغة تعتمد علي الكائنات البرمجية , وهو الشئ الذي يمنحها قوة في الإستخدام , لكن أين نكتب أوامر الجافا سكريبت :- 1- في منطقة الرأس ( Head) الخاصة بكود HTMl 2- في منطقة الجسم ( Body) الخاصة بكود HTML ولا قيود علي مبرمج الجافا أن يضع أوامر الجافا سكريبت في منطقة الرأس أو الجسم , لكن راعي أن أوامر الإخراج – وهي الأوامر التي من اختصاصها أن تظهر ناتج الكود البرمجي علي المتصفح – لابد وأن تكتب في منطقة الجسم (Body) أو في المكان الذي تريده أن يظهر فيه ناتج السكريبت , أما عند كتابة أمر الإخراج في منطقة الرأس (Head) فإنه يعمل علي كتابة ناتج هذا الأمر قبل البدء في أي أوامر تختص بمنطقة الجسم ( Body) . هناك ميزة أخري في الجافا سكريبت وهو أنه يمكنك كتابة كود الجافا سكريبت في ملف خارجي (كما هو الحال في CSS ) , ويكون امتداد ذلك الملف (* .Js) ,   وتكون صيغةالربط بينصفحتك وملف الجافا كالآتي :- > Script Language = " javascript" src = " موقع الملف علي الشبكة أو علي الجهاز "> > /Script> ملاحظات علي كتابة الأوامر في ا
قراءة المزيد

مسائل علي الترانزستورات MOSFET

صورة
مسائل مسألة 1 ترانزستور MOSFET من النوع المقلل (depletion) له المعطيات التالية : IDSS = 10mA; VGS,of = -4V أوجد قيم I D R DS , g m , عندما تكون V G = -2V و V G = +2V . أفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل :   مسألة (2) : ترانزستور MOSFET من النوع المعزز له البارامترات التالية : V GS,th = +2v; وعند V GS يساوي (+4V) كان ID = 12mA أوجد R DS , gm, k بفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل : من أجل حساب k استخدم معادلة تيار المصرف في المنطقة الفعالة : I D = k (V GS – V GS,th )2 ومن هذه المعادلة تحصل علي : ومن أجل إيجاد g m , استخدم العلاقة التالية : وعندها يمكن حساب المقاومة R DS من العلاقة : R DS = (1/gm) = 83Ω مسألة (3) : في دارة الشكل يوجد ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز له V GS,off = -4V , I DSS = 10mA . المقاومة R D = 1kΩ وجهد التغذية المستمر V DD = +20V . أوجد الربح (V out / V in ) . يمكن باستخدام قوانين كيرشوف وأوم الحصول علي المعادلات التالية : V DD = V DS + I DRD V DD = V D
قراءة المزيد