تكنولوجيا رقاقة معالج البنتيوم Pentium Processor Chip Technology

استخدمت تكنولوجيا جديدة لبناء ترانزيستورات تسمي , BiCMOS (Bipolar CMOS) أدت إلي إمكانية تحسين سرعة المعالج إلي 100 ميجا هرتز و 133 ميجا هرتز و 166 ميجا هرتز و200 ميجا هرتز وحاليا معالجات اليوم تعمل عند سرعة 300 ميجا هرتز وفي القريب ستساعد هذه التكنولوجيا في أن تعمل معالجات البنتيوم عند سرعات أكبر . وساهم تصغير حجم الدائرة داخل رفافة البنتيوم إلي 0.6 ميكرون في تقليل استهلاك الرقاقة للطاقة الكهربية خصوصا لاعتماد الدوائر الكترونية لتكنولوجيا الـBiCMOS يمكن التحكم في استهلاك الطاقة برقاقة البنتيوم . أي أن الرقاقة بها نظام عن طريقة يمكن ترشيد استهلاك الطاقة . يسمي هذا النظام ( System Management Mode) SMM ويتم ذالك عن طريق التحكم في سرعة المعالج , خفض سرعته أو ذيادة سرعة أو تعليقة (إيقاف مؤقت ) حسب ظروف التشغيل . ومما ساعد علي خفض استهلاك الطاقة لمعالجات البنتيوم الحديثة انها تعمل بجهد تغذية 3,3 بدلا من 5 فولت . بني ايضا داخل رقاقة البنتيوم دوائر حاكم المقاطعة المحسن القابل للبرمجة advanced programmable interrupt controller apic بدلا من وجودة في رقاقة مستقلة باللوحة الأم لذلك تزدحم رقاقة البنتيوم بعدد كثيف من الترانزيستورات يصل إلى 3.3 مليون ترانزيستور

PC hardware course in arabic-20131213045717-00007_03

وتشتمل هذه الرقاقة على 273 طرف منهم 50 طرف للتغذية الموجبة Vcc و49 طرف للتغذية الأرضي gnd يستعين معالج البنتيوم بمبرد خاص cpu cooler وهو عبارة من إطار مزعنف من جوانبه الأربعة عند سقفه مروحة تغذى بواسطة كابل مستقل ويثبت مبرد المعالج بواسطة كلبسات بحيث يسهل فكه وتركبيه

PC hardware course in arabic-20131213045738-00008_03

تعليقات

إرسال تعليق

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

صورة
الشاشة الإفتتاحية لإكسل : المكونات الرئيسية لنافذة برنامج الأكسل § الأعمدة : كل عمود يرمز له بحرف من (IV-A) = 256 عمود وتشتمل الشاشة الواحدة علي (^) عمود ما لم تتغير مساحة الأعمدة من حجم النافذة . § السطور ( الصفوف ) تأخذ أرقاما متسلسلة من ( 1 – 55366( § الخلية تطلق علي نقطة تقاطع العمود مع السطر علي صفحة البيانات ولكل خلية عنوان مميز يتكون من إسم العمود ورقم السطر المتقاطعين (A1) . عدد الخلايا < 4 مليون خلية = ( 256 X 65536 ) § الخلية النشطة هي الخلية التي يحيط بها برواز يسمي ( مؤشر الخلية ) ويظهر عنوانها دائما في شريط المعادلة وهي الخلية التي تستقبل المخلات من لوحة المفاتيح . ويمكن إتساع الخلية من شريط الافقي وذلك بتحريك عن طريق الماوس باستمرار الضغط عليه وتركه حسب المساحة المطلوبة . § شريط العنوان يشتمل علي إسم المستند (BOOK1) ( اسم البرنامج + اسم المستند + أزرار التحكم ) § شريط أدوات التنسيق قضيب يشتمل علي أدوات تستخدم لتنفيذ عمليات توفر وقتك ويمكن من خلاله اختيار نوع الخط وحجمها – تنسيق فقرة الكتابة – الضبط الكلي لفقرة الكتابة – تغيير لون الخ
قراءة المزيد

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

صورة
أوامر الجافا سكريبت :- الجافا سكريبت لغة تعتمد علي الكائنات البرمجية , وهو الشئ الذي يمنحها قوة في الإستخدام , لكن أين نكتب أوامر الجافا سكريبت :- 1- في منطقة الرأس ( Head) الخاصة بكود HTMl 2- في منطقة الجسم ( Body) الخاصة بكود HTML ولا قيود علي مبرمج الجافا أن يضع أوامر الجافا سكريبت في منطقة الرأس أو الجسم , لكن راعي أن أوامر الإخراج – وهي الأوامر التي من اختصاصها أن تظهر ناتج الكود البرمجي علي المتصفح – لابد وأن تكتب في منطقة الجسم (Body) أو في المكان الذي تريده أن يظهر فيه ناتج السكريبت , أما عند كتابة أمر الإخراج في منطقة الرأس (Head) فإنه يعمل علي كتابة ناتج هذا الأمر قبل البدء في أي أوامر تختص بمنطقة الجسم ( Body) . هناك ميزة أخري في الجافا سكريبت وهو أنه يمكنك كتابة كود الجافا سكريبت في ملف خارجي (كما هو الحال في CSS ) , ويكون امتداد ذلك الملف (* .Js) ,   وتكون صيغةالربط بينصفحتك وملف الجافا كالآتي :- > Script Language = " javascript" src = " موقع الملف علي الشبكة أو علي الجهاز "> > /Script> ملاحظات علي كتابة الأوامر في ا
قراءة المزيد

مسائل علي الترانزستورات MOSFET

صورة
مسائل مسألة 1 ترانزستور MOSFET من النوع المقلل (depletion) له المعطيات التالية : IDSS = 10mA; VGS,of = -4V أوجد قيم I D R DS , g m , عندما تكون V G = -2V و V G = +2V . أفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل :   مسألة (2) : ترانزستور MOSFET من النوع المعزز له البارامترات التالية : V GS,th = +2v; وعند V GS يساوي (+4V) كان ID = 12mA أوجد R DS , gm, k بفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل : من أجل حساب k استخدم معادلة تيار المصرف في المنطقة الفعالة : I D = k (V GS – V GS,th )2 ومن هذه المعادلة تحصل علي : ومن أجل إيجاد g m , استخدم العلاقة التالية : وعندها يمكن حساب المقاومة R DS من العلاقة : R DS = (1/gm) = 83Ω مسألة (3) : في دارة الشكل يوجد ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز له V GS,off = -4V , I DSS = 10mA . المقاومة R D = 1kΩ وجهد التغذية المستمر V DD = +20V . أوجد الربح (V out / V in ) . يمكن باستخدام قوانين كيرشوف وأوم الحصول علي المعادلات التالية : V DD = V DS + I DRD V DD = V D
قراءة المزيد