الديودات رباعية الطبقات والدياكات

الديودات رباعية الطبقات والدياكات

الديودات رباعية الطبقات والدياكات هي عناصر لها طرفان (رجلان) ولا تحتاج إلي إشارة بوابة , وبدلاً من ذلك فإن هذه العناصر تنتقل إلي حالة (on) عندما يصل الجهد بين طرفيها إلي قيمة خاصة تسمي جهد الانهيار (breakdown valtage) أو (breakover voltage) . والديود رباعي الطبقات يشبه الثايرستور SCR ولكن بدون بوابة وهو مصمم فقط للعمل مع الجهود والتيارات المتناوبة .

semiconductor44

الشكل : رموز الديود رباعي الطبقات والدياك .

تستخدم الديودات رباعية الطبقات والدياكات من أجل قدح الثايرستورات و الترياكات فمثلا عند استخدامك لدياك من أجل قدح ترياك كما في الشكل فإنك تتجنب القدح غير الموثوق الذي قد ينتج عن عدم الاستقرار الذي تسببه تغيرات درجة الحرارة لعناصر دارة القدح . وعندما يتجاوز الجهد علي طرفي الدياك بقليل قيمة جهد الانهيار , فإن الدياك يعطي نبضة تيار إلي بوابة الترياك فيطلق إلي حالة (on) .

semiconductor77

الشكل : دارة قياس مواصفات الدياك ودارة تحكم صفحي كامل الموجة

تستخدم الدارة اليمينية من الشكل لقياس مواصفات الدياك وتضبط المقاومة المتغيرة (100kΩ) بحيث يقدح الدياك مرة في كل نصف دور .

مواصفات الدياك

نبين في الجدول جزءا نموذجيا من مواصفات الدياك

الجدول : عينة من جدول مواصفات دياك

PD

VSWITCH

IPULSE

IBO

VBO

MNFR#

(mW)

(V)

(A)

MAX

(V)

 

 

(µA)

 

250

6

2

100

40

NTE6411

وفي هذا الجدول تري الرموز التالية :

VBO : ويعني جهد الانهيار (breakover voltage) .

IBO : ويعني تيار الانهيار (breakover current) .

Ipulse : ويعني التيار الأعظمي النبضي (maximum peak pulse current) .

PD : تبديد الاستطاعة الأعظمي .

تعليقات

إرسال تعليق

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

صورة
الشاشة الإفتتاحية لإكسل : المكونات الرئيسية لنافذة برنامج الأكسل § الأعمدة : كل عمود يرمز له بحرف من (IV-A) = 256 عمود وتشتمل الشاشة الواحدة علي (^) عمود ما لم تتغير مساحة الأعمدة من حجم النافذة . § السطور ( الصفوف ) تأخذ أرقاما متسلسلة من ( 1 – 55366( § الخلية تطلق علي نقطة تقاطع العمود مع السطر علي صفحة البيانات ولكل خلية عنوان مميز يتكون من إسم العمود ورقم السطر المتقاطعين (A1) . عدد الخلايا < 4 مليون خلية = ( 256 X 65536 ) § الخلية النشطة هي الخلية التي يحيط بها برواز يسمي ( مؤشر الخلية ) ويظهر عنوانها دائما في شريط المعادلة وهي الخلية التي تستقبل المخلات من لوحة المفاتيح . ويمكن إتساع الخلية من شريط الافقي وذلك بتحريك عن طريق الماوس باستمرار الضغط عليه وتركه حسب المساحة المطلوبة . § شريط العنوان يشتمل علي إسم المستند (BOOK1) ( اسم البرنامج + اسم المستند + أزرار التحكم ) § شريط أدوات التنسيق قضيب يشتمل علي أدوات تستخدم لتنفيذ عمليات توفر وقتك ويمكن من خلاله اختيار نوع الخط وحجمها – تنسيق فقرة الكتابة – الضبط الكلي لفقرة الكتابة – تغيير لون الخ
قراءة المزيد

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

صورة
أوامر الجافا سكريبت :- الجافا سكريبت لغة تعتمد علي الكائنات البرمجية , وهو الشئ الذي يمنحها قوة في الإستخدام , لكن أين نكتب أوامر الجافا سكريبت :- 1- في منطقة الرأس ( Head) الخاصة بكود HTMl 2- في منطقة الجسم ( Body) الخاصة بكود HTML ولا قيود علي مبرمج الجافا أن يضع أوامر الجافا سكريبت في منطقة الرأس أو الجسم , لكن راعي أن أوامر الإخراج – وهي الأوامر التي من اختصاصها أن تظهر ناتج الكود البرمجي علي المتصفح – لابد وأن تكتب في منطقة الجسم (Body) أو في المكان الذي تريده أن يظهر فيه ناتج السكريبت , أما عند كتابة أمر الإخراج في منطقة الرأس (Head) فإنه يعمل علي كتابة ناتج هذا الأمر قبل البدء في أي أوامر تختص بمنطقة الجسم ( Body) . هناك ميزة أخري في الجافا سكريبت وهو أنه يمكنك كتابة كود الجافا سكريبت في ملف خارجي (كما هو الحال في CSS ) , ويكون امتداد ذلك الملف (* .Js) ,   وتكون صيغةالربط بينصفحتك وملف الجافا كالآتي :- > Script Language = " javascript" src = " موقع الملف علي الشبكة أو علي الجهاز "> > /Script> ملاحظات علي كتابة الأوامر في ا
قراءة المزيد

مسائل علي الترانزستورات MOSFET

صورة
مسائل مسألة 1 ترانزستور MOSFET من النوع المقلل (depletion) له المعطيات التالية : IDSS = 10mA; VGS,of = -4V أوجد قيم I D R DS , g m , عندما تكون V G = -2V و V G = +2V . أفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل :   مسألة (2) : ترانزستور MOSFET من النوع المعزز له البارامترات التالية : V GS,th = +2v; وعند V GS يساوي (+4V) كان ID = 12mA أوجد R DS , gm, k بفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل : من أجل حساب k استخدم معادلة تيار المصرف في المنطقة الفعالة : I D = k (V GS – V GS,th )2 ومن هذه المعادلة تحصل علي : ومن أجل إيجاد g m , استخدم العلاقة التالية : وعندها يمكن حساب المقاومة R DS من العلاقة : R DS = (1/gm) = 83Ω مسألة (3) : في دارة الشكل يوجد ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز له V GS,off = -4V , I DSS = 10mA . المقاومة R D = 1kΩ وجهد التغذية المستمر V DD = +20V . أوجد الربح (V out / V in ) . يمكن باستخدام قوانين كيرشوف وأوم الحصول علي المعادلات التالية : V DD = V DS + I DRD V DD = V D
قراءة المزيد