تطبيقات

تطبيقات

دارة قيادة حاكمة / مؤقت

تقود الدارة في الشكل الحاكمة وتجعلها تغير وضعيات تماساتها بشكل متعاقب ومتكرر . يشحن المكثف (C) عبر المقاومة (R1) من مصدر الجهد (VBB = 10V) وعندما يصبح جهد المكثف مساويا جهد القدح تزداد ناقلية الوصلة (E) إلي (B1) ويمر تيار عبر ملف الحاكمة وتغير الحاكمة وضع التماس إلي الموقع (2) , وعندما يفرغ المكثف ينخفض الجهد علي الباعث (E) إلي مادون مستوي القدح ويقطع الترانزستور (يعود إلي حالة off ) وتعود الحاكمة إلي حالة الراحة ويرجع تماس الحاكمة المتحرك إلي الوضع (1) . تتحكم المقاومة (R1) بمعدل شحن المكثف كما يتحدد مقدار جهد القدح بسعة المكثف (C) . إذا (C) يؤثر علي معدل الشحن .

semiconductor-illustrated_Page_58_03

الشكل دارة مؤقتة /قيادة حاكمة

مولد جهد تصاعدي بواسطة مضخم

في هذه الدارة (الشكل ) يستخدم ترانزستور UJT مع ترانزستور عادي ومكثف ومجموعة من المقاومات لتوليد جهد من منشاري (sawtooth) ومولد سن المنشار هذا يمكن التحكم بربحه مع الإشارة هنا إلي أن ربح المولد يتحدد بدارة الترانزستور ثنائي القطبية , أما التردد فيتعلق بالمكثف (C1) والمقاومة (E3) . يطبق جهد المكثف (C1) علي قاعدة الترانزستور ثنائي القطبية , أما الخرج فيؤخذ من باعث الترانزستور ثنائي القطبية . لا داعي هنا لشرح مبدأ العمل لأنه مشروح في فقرة هزاز الاسترخاء فالجهد الذي يتشكل علي المكثف (C1) أثناء عمل هزاز الاسترخاء هو تقريبا جهد سن منشاري .

semiconductor-illustrated_Page_58_06

الشكل : دارة مولد نبضات سن منشارية

هزاز إسترخاء باستخدام put

في هذه الدارة يبرمج ترانزستور put بواسطة مقسم الجهد R1 و R2 وذلك من أجل ضبط جهد القدح المرغوب وتيار المصعد علي القيم المناسبة .

تشكل المقاومات (R1) و (R2) مقسم جهد يحدد جهد البوابة الذي ينقل الترانزستور إلي حالات on و off . كي يعمل ترانزستور put في حالة نقل (conduction) يجب أن يكون جهد المصعد أكبر من جهد البوابة علي الأقل بحوالي (0.7V) , وفي لحظة ما يكون فيها المكثف مفرغا تكون البوابة في حالة استقطاب عكسي وترانزستور put في حالة (off) , وخلال الزمن يبدأ المكثف (C1) بالشحن عبر المقاومة (R4) وعند تجمع قدر كاف من الشحنات في المكثف يتكون جهد كاف لتشكيل انحياز أمامي علي البوابة فينتقل الترانزستور إلي حالة (on) وذلك إذا زاد تيار المصعدة (IA) علي التيار الأعظمي (Ip) . أثناء إنتقال الـــ put إلي حالة (on) يفرغ المكثف عبر الــ put والمقاومة (R3) . عندما يكون الــــ put في حالة (on) يكون الجهد بين المصعد والمهبط حوالي واحد فولت . عندما يصل المكثف إلي التفريغ الكامل ينخفض تيار المصعد ويتوقف نهائيا عن المرور عندما يصبح جهد البوابة أقل من الجهد اللازمة لتشكيل انحياز أمامي , وبعد ذلك تتكرر دورة الشحن من جديد يمكن أن تؤخذ جهود خرج الدارة من البوابة أو من المهبط والجهد المأخوذ من البوابة هو جهد سن منشاري أما الجهد المأخوذ من المهبط فهو علي شكل نبضات ضيقة (إبرية تقريبا) .

semiconductor-illustrated_Page_59_03

الشكل : دارة هزاز استرخاء باستخدام put

يبدأ الــ put بالنقل عندما يكون (VA = VG + 0.7V) والجهد (VA) هو الجهد المطبق علي المصعد عن طريق مقسم الجهد .

VA=R2V+/(R1+R2)

وعندما يصبح VA أكبر من VG بحوالي (0.7V) يمر تيار مصعد عبر الترانزستور (IA) ويحسب هذه التيار من العلاقة :

IA=V+-VA/(R1+R2)

تعليقات

إرسال تعليق

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

صورة
الشاشة الإفتتاحية لإكسل : المكونات الرئيسية لنافذة برنامج الأكسل § الأعمدة : كل عمود يرمز له بحرف من (IV-A) = 256 عمود وتشتمل الشاشة الواحدة علي (^) عمود ما لم تتغير مساحة الأعمدة من حجم النافذة . § السطور ( الصفوف ) تأخذ أرقاما متسلسلة من ( 1 – 55366( § الخلية تطلق علي نقطة تقاطع العمود مع السطر علي صفحة البيانات ولكل خلية عنوان مميز يتكون من إسم العمود ورقم السطر المتقاطعين (A1) . عدد الخلايا < 4 مليون خلية = ( 256 X 65536 ) § الخلية النشطة هي الخلية التي يحيط بها برواز يسمي ( مؤشر الخلية ) ويظهر عنوانها دائما في شريط المعادلة وهي الخلية التي تستقبل المخلات من لوحة المفاتيح . ويمكن إتساع الخلية من شريط الافقي وذلك بتحريك عن طريق الماوس باستمرار الضغط عليه وتركه حسب المساحة المطلوبة . § شريط العنوان يشتمل علي إسم المستند (BOOK1) ( اسم البرنامج + اسم المستند + أزرار التحكم ) § شريط أدوات التنسيق قضيب يشتمل علي أدوات تستخدم لتنفيذ عمليات توفر وقتك ويمكن من خلاله اختيار نوع الخط وحجمها – تنسيق فقرة الكتابة – الضبط الكلي لفقرة الكتابة – تغيير لون الخ
قراءة المزيد

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

صورة
أوامر الجافا سكريبت :- الجافا سكريبت لغة تعتمد علي الكائنات البرمجية , وهو الشئ الذي يمنحها قوة في الإستخدام , لكن أين نكتب أوامر الجافا سكريبت :- 1- في منطقة الرأس ( Head) الخاصة بكود HTMl 2- في منطقة الجسم ( Body) الخاصة بكود HTML ولا قيود علي مبرمج الجافا أن يضع أوامر الجافا سكريبت في منطقة الرأس أو الجسم , لكن راعي أن أوامر الإخراج – وهي الأوامر التي من اختصاصها أن تظهر ناتج الكود البرمجي علي المتصفح – لابد وأن تكتب في منطقة الجسم (Body) أو في المكان الذي تريده أن يظهر فيه ناتج السكريبت , أما عند كتابة أمر الإخراج في منطقة الرأس (Head) فإنه يعمل علي كتابة ناتج هذا الأمر قبل البدء في أي أوامر تختص بمنطقة الجسم ( Body) . هناك ميزة أخري في الجافا سكريبت وهو أنه يمكنك كتابة كود الجافا سكريبت في ملف خارجي (كما هو الحال في CSS ) , ويكون امتداد ذلك الملف (* .Js) ,   وتكون صيغةالربط بينصفحتك وملف الجافا كالآتي :- > Script Language = " javascript" src = " موقع الملف علي الشبكة أو علي الجهاز "> > /Script> ملاحظات علي كتابة الأوامر في ا
قراءة المزيد

مسائل علي الترانزستورات MOSFET

صورة
مسائل مسألة 1 ترانزستور MOSFET من النوع المقلل (depletion) له المعطيات التالية : IDSS = 10mA; VGS,of = -4V أوجد قيم I D R DS , g m , عندما تكون V G = -2V و V G = +2V . أفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل :   مسألة (2) : ترانزستور MOSFET من النوع المعزز له البارامترات التالية : V GS,th = +2v; وعند V GS يساوي (+4V) كان ID = 12mA أوجد R DS , gm, k بفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل : من أجل حساب k استخدم معادلة تيار المصرف في المنطقة الفعالة : I D = k (V GS – V GS,th )2 ومن هذه المعادلة تحصل علي : ومن أجل إيجاد g m , استخدم العلاقة التالية : وعندها يمكن حساب المقاومة R DS من العلاقة : R DS = (1/gm) = 83Ω مسألة (3) : في دارة الشكل يوجد ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز له V GS,off = -4V , I DSS = 10mA . المقاومة R D = 1kΩ وجهد التغذية المستمر V DD = +20V . أوجد الربح (V out / V in ) . يمكن باستخدام قوانين كيرشوف وأوم الحصول علي المعادلات التالية : V DD = V DS + I DRD V DD = V D
قراءة المزيد