المفاتيح السيلكونية المتحكم بها SCS

المفاتيح السيلكونية المتحكم بها SCS

المفتاح السيلكوني المتحكم به هو عنصر مشابه للمقوم السيلكوني SCR ولكنه مصمم بحيث ينتقل إلي حالة (off) عند تطبيق نبضة جهد أو تيار موجبة علي طرف إضافي فيه يسمي بوابة المصعد (anode gate) . يمكن أن ينتقل العنصر إلي حالة التمرير بتطبيق نبضة جهد سالب علي نفس الطرف المسمي بوابة المصعد وفيما عدا ذلك فإن عمل وسلوك المفتاح السيلكوني في التطبيقات يشبه تماما عمل المقوم السيلكوني SCR ÷أنظر الفقرة الأخيرة لمزيد من التفاصيل) . يبين الشكل رمز الـــ SCS ومن الجدير بالذكر هنا أن تسميات أرجل هذا العنصر قد لا تظهر كمصعد (anode) ومهبط (cathode) و (gate) بوابة المصعد وقاعدة (base) بدلا من البوابة .

semiconductor_Page_60_Image_0001

الشكل رمز المفتاح السيلكوني SCS

تستخدم المفاتيح السيلكونية (SCSs) في العدادات . ودارات قيادة المصابيح lamp drivers , وفي دارات وصل وفصل القدرة , وفي الدارات المنطقية , وكذلك في أية دارة تحتاج مفتاحا ينتقل إلي حالات (on) و (off) بنبضات مختلفة .

كيف يعمل المفتاح السيلكوني

يبين الشكل بنية مفتاح سيلكوني SCS ودارته الترانزستورية المكافئة , وكما تلاحظ فإن الدارة الترانزستورية المكافئة تبدو مشابهة كثيرا للدارة الترانزستورية المكافئة للثايرستور وقد أضيف إليها طرف لبوابة المصعد . عند تطبيق نبضة قدح موجبة علي البوابة ينتقل الترانزستور (npn) إلي حالة (on) وينتقل بذلك الترانزستور (pnp) إلي حالة (on) . ويبقي المفتاح SCS في حالة (on) حتي لو تم فصل جهد القدح عن البوابة . بعكس قطبيات المصعد والمهبط أو بتطبيق جهد سالب علي بوابة المصعد يمكن أن ينتقل المفتاح SCS إلي حالة قطع لأن تطبيق جهد سالب علي بوابة المصعد قد يؤدي إلي انخفاض تيار استقطاب الدعم الذاتي (self sustaining biasing current) .

semiconductor_Page_67_

الشكل : بنية مفتاح SCS والدارة الترانزستورية المكافئة له

مواصفات المفتاح SCS

عند شراء SCS تأكد من اختيار عنصر له جهد انهيار , وتيار , ومعدل تبديد قدرة مناسبة . في جدول مواصفات المفتاح السيلكوني نجد الأمور التالية IH , IC , IE , BVCE , BVEB : ( تيار المسك) وPD (استطاعة التبديد ) , وفي هذه الرموز تم اعتماد التسميات البديلة لأقطاب المفتاح فالحرف (C) يدل علي المصعد والحرف (E) علي المهبط والحرف (B) علي البوابة .

تعليقات

إرسال تعليق

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

صورة
الشاشة الإفتتاحية لإكسل : المكونات الرئيسية لنافذة برنامج الأكسل § الأعمدة : كل عمود يرمز له بحرف من (IV-A) = 256 عمود وتشتمل الشاشة الواحدة علي (^) عمود ما لم تتغير مساحة الأعمدة من حجم النافذة . § السطور ( الصفوف ) تأخذ أرقاما متسلسلة من ( 1 – 55366( § الخلية تطلق علي نقطة تقاطع العمود مع السطر علي صفحة البيانات ولكل خلية عنوان مميز يتكون من إسم العمود ورقم السطر المتقاطعين (A1) . عدد الخلايا < 4 مليون خلية = ( 256 X 65536 ) § الخلية النشطة هي الخلية التي يحيط بها برواز يسمي ( مؤشر الخلية ) ويظهر عنوانها دائما في شريط المعادلة وهي الخلية التي تستقبل المخلات من لوحة المفاتيح . ويمكن إتساع الخلية من شريط الافقي وذلك بتحريك عن طريق الماوس باستمرار الضغط عليه وتركه حسب المساحة المطلوبة . § شريط العنوان يشتمل علي إسم المستند (BOOK1) ( اسم البرنامج + اسم المستند + أزرار التحكم ) § شريط أدوات التنسيق قضيب يشتمل علي أدوات تستخدم لتنفيذ عمليات توفر وقتك ويمكن من خلاله اختيار نوع الخط وحجمها – تنسيق فقرة الكتابة – الضبط الكلي لفقرة الكتابة – تغيير لون الخ
قراءة المزيد

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

صورة
أوامر الجافا سكريبت :- الجافا سكريبت لغة تعتمد علي الكائنات البرمجية , وهو الشئ الذي يمنحها قوة في الإستخدام , لكن أين نكتب أوامر الجافا سكريبت :- 1- في منطقة الرأس ( Head) الخاصة بكود HTMl 2- في منطقة الجسم ( Body) الخاصة بكود HTML ولا قيود علي مبرمج الجافا أن يضع أوامر الجافا سكريبت في منطقة الرأس أو الجسم , لكن راعي أن أوامر الإخراج – وهي الأوامر التي من اختصاصها أن تظهر ناتج الكود البرمجي علي المتصفح – لابد وأن تكتب في منطقة الجسم (Body) أو في المكان الذي تريده أن يظهر فيه ناتج السكريبت , أما عند كتابة أمر الإخراج في منطقة الرأس (Head) فإنه يعمل علي كتابة ناتج هذا الأمر قبل البدء في أي أوامر تختص بمنطقة الجسم ( Body) . هناك ميزة أخري في الجافا سكريبت وهو أنه يمكنك كتابة كود الجافا سكريبت في ملف خارجي (كما هو الحال في CSS ) , ويكون امتداد ذلك الملف (* .Js) ,   وتكون صيغةالربط بينصفحتك وملف الجافا كالآتي :- > Script Language = " javascript" src = " موقع الملف علي الشبكة أو علي الجهاز "> > /Script> ملاحظات علي كتابة الأوامر في ا
قراءة المزيد

مسائل علي الترانزستورات MOSFET

صورة
مسائل مسألة 1 ترانزستور MOSFET من النوع المقلل (depletion) له المعطيات التالية : IDSS = 10mA; VGS,of = -4V أوجد قيم I D R DS , g m , عندما تكون V G = -2V و V G = +2V . أفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل :   مسألة (2) : ترانزستور MOSFET من النوع المعزز له البارامترات التالية : V GS,th = +2v; وعند V GS يساوي (+4V) كان ID = 12mA أوجد R DS , gm, k بفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل : من أجل حساب k استخدم معادلة تيار المصرف في المنطقة الفعالة : I D = k (V GS – V GS,th )2 ومن هذه المعادلة تحصل علي : ومن أجل إيجاد g m , استخدم العلاقة التالية : وعندها يمكن حساب المقاومة R DS من العلاقة : R DS = (1/gm) = 83Ω مسألة (3) : في دارة الشكل يوجد ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز له V GS,off = -4V , I DSS = 10mA . المقاومة R D = 1kΩ وجهد التغذية المستمر V DD = +20V . أوجد الربح (V out / V in ) . يمكن باستخدام قوانين كيرشوف وأوم الحصول علي المعادلات التالية : V DD = V DS + I DRD V DD = V D
قراءة المزيد