أنواع ترانزستورات UJT

أنواع ترانزستورات UJT

دارات التقطيع الأساسية

تستخدم ترانزستورات UJT في الهزازات وفي دارات التوقيت وكذلك في دارات كشف المستوي (level detecting circuits) .

القيم النموذجية لبعض بارامترات الترانزستور هي :

التيار IE : حوالي 50mA .

الجهد المسموح بين القواعد VBB : من 35V إلي 55V .

تبديد الاستطاعة : 500mW

إن ترانزستورات PUT هي ترانزستورات مشابهة لترانزستورات UJT , إلا أن RBB و IV (مستوي تيار الوادي (Valley current levelو Ip (مستوي التيار الأعظمي ) و η (نسبة التعادل الداخلي (intrinsic standoff ratio يمكن أن تبرمج بواسطة مقسم جهد خارجي ويعتبر ذلك مهما جدا من أجل القضاء علي عدم استقرارية الدارة . يختلف رمز ترانزستورات PUT بشكل كبير عن رمز ترانزستورات UJT (أنظر الشكل) . وكذلك فإن أسماء الأطراف مختلفة , حيث تسمي أطراف ترانزستور Put بالأسماء مصعد (anode) ومهبط (cathode) وبوابة (gate).

semiconductor-illustrated_Page_57_10

الشكل : أشكال ترانزستورات UJT   ,    شكل ورمز ترانزستور put

تستخدم ترانزستورات put لبناء دارات المؤقتات وكذلك لتشكيل دارات التحكم بالصفحة عالية الربح (high-gain phase control circuits) وفي دارات الهزازات (oscillators) ونبين فيما يلي بعض الدارات التي توضح تطبيقات ترانزستورات الـــ UJTs والـــ PUTs .

تعليقات

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

مسائل علي الترانزستورات MOSFET