تطبيقات

تطبيقات

متحكم بالإضاءة

يستخدم ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز في دارة الشكل للتحكم بتدفق التيار غير مصباح (lamp) يتم ضبط جهد البوابة بواسطة مقاومة مقسم الجهد R2 وبذلك يتم تيار المصرف المار عبر المصباح .

semiconductor-illustrated_Page_53_06

الشكل : دراة متحكم بالإضاءة بواسطة MOSFET

منبع تيار

في هذه الدارة (الشكل ) يستخدم مضخم عملياتي (op amp) مع ترانزستور MOSFET لتكوين منبع تيار عالي الدقة (نسبة خطأ أقل من واحد بالمائة 1% ). يمرر الترانزستور تيار الحمل , ويطبق الجهد الهابط علي المقاومة (RS) علي المدخل العاكس للمضخم العملياتي . يقارن جهد المدخل العاكس للمضخم العملياتي مع جهد دخل (Vin) مطبق علي المدخل غير العاكس . إذ تغير تيار الحمل زيادة أو نقصانا فإن جهد خرج المضخم العملياتي سوف يتغير ويتغير تبعا لذلك جهد بوابة الترانزستور ويتم التحكم بالتيار . تعتبر هذه الدارة أكثر دقة و موثوقية من دارات منابع التيار البسيطة التي تستخدم فيها ثنائية القطبية . قيمة تيارات التسريب في هذه الدارة صغيرة جدا ويتحدد تيار الحمل وفق قانون أوم (ووفق قوانين المضخم العملياتي التي سنناقشها فيما بعد ) .

semiconductor-illustrated_Page_53_09

الشكل : دارة منبع تيار

المضخمات

يمكن تشكيل مضخمات بوصلة تابع منبعي وبوصلة منبع مشترك باستخدام ترانزستورات MOSFET من الأنواع المقللة (depletion) والمعززة (enhancement) , وتعتبر المضخمات التي تبني علي ترانزستورات MOSFET مقللة مشابهة لمضخمات الترانزستورات الحقلية JFET التي نوقشت سابقا ولكن ممانعات دخل مضخمات ترانزستورات MOSFET أعلي . تقوم مضخمات MOSFET المعززة من حيث المبدأ بنفس عمل مضخمات MOSFET المقللة إلا أنها تحتاج إلي مقسمات جهد من أجل ضبط جهد البوابة ( في الترانزستورات MOSFET المقللة تكفي مقاومة واحدة لضبط جهد البوابة ) . في دارة مضخم المنبع المشترك يكون الخرج معاكسا بالصفحة للدخل . يمكن فهم وظائف المكثفات والمقاومات الموجودة في دارات مضخمات الشكل بالعودة إلي دارات المضخمات المشروحة سابقا .

semiconductor-illustrated_Page_54_03

الشكل : دارات مضخمات باستخدام ترانزستورات MOSFET

semiconductor-illustrated_Page_54_06

تابع الشكل : دارات مضخمات باستخدام ترانزستورات MOSFET

مضخم صوتي

يستخدم في هذه الدارة ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع لتكبير إشارة صوتية يتم الحصول عليها من ميكروفون عالي الممانعة , وتطبق إشارة خرج المضخم علي مصوات (speaker) . المكثف C1 هو مكثف ربط متناوب , أما R2 فهي مقاومة مقسم جهد تستخدم للتحكم بالربح وبالتالي التحكم بشدة الصوت الصادر عن المصوات (Volume) .

semiconductor-illustrated_Page_54_08

الشكل : دارات مكبر صوت

دارة قيادة حاكمة (تحويل من رقمي إلي تشابهي )

تبين دارة الشكل كيفية استخدام ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المقلل كأداة ملاءمة بين دارة رقمية ودارة تشابهية (analog) . وفي هذه الدارة تستخدم بوابة AND لقيادة الترانزستور إلي حالة النقل (conduction) من أجل تفعيل الحاكمة . إذا كان المدخلان (A) و (B) علي حالة (High) فإن الحاكمة تغير وضعيات تماسها إلي الوضع (2) , أما باقي الحالات الأخري الممكنة للمداخل وهي (low; low) ,(low; high) , (high; low) فإنها تبقي تماسات الحاكمة علي الوضع (1) . يعتبر ترانزستور MOSFET مناسبا جدا للإستخدام في دارات الملائمة بين الإشارات الرقمية والتشابهية , وذلك لأن مقاومة دخله العالية جدا وتيار دخله المنخفض يجعلانه مناسبا من أجل قيادة الدارات التشابهية عالية الجهد أو التيار دون استهلاك أي تيار من الدارة المنطقية التي تقوده .

semiconductor-illustrated_Page_54_08

الشكل : دارة قيادة حاكمة بواسطة MOSFET

التحكم باتجاه دوران محرك تيار مستمر

تبين دارة الشكل استخدام ترانزستورات MOSFET للتحكم بجهة دوران محرك تيار مستمر وفي هذه الدارة تستخدم إشارة دخل رقمية للتحكم باتجاه الدوران . عندما تكون إشارة الدخل في حالة (high) فإن بوابة NAND العلوية تعطي خرجا (low) وتقود بذلك الترانزستورات (1) و (4) إلي حالة (on) وفي نفس الوقت يكون خرج بوابة NAND السفلية علي وضع (high) ويقود الترانزستورات (2) و(3) إلي (off) ويكون اتجاه مرور التيار في الدارة من موجب الـــ (+12V) عبر الترانزستور (4) فالأرض ويدور المحرك باتجاه معين . عندما تكون إشارة الدخل علي حالة (low) يكون خرج بوابة NANd العلوية (high) ويقود الترانزستورات (1) و (4) إلي القطع (off) , أما خرج بوابة NAND السفلية فيكون (low) ويقود الترانزستور (2) إلي الأرض (بعكس جهة مروره عبر المحرك في الحالة الأولي ) ويدور المحرك بعكس الاتجاه السابق .

semiconductor-illustrated_Page_55_06

الشكل : دارة تحكم بجهة دوران محرك dc .

تعليقات

إرسال تعليق

المشاركات الشائعة من هذه المدونة

الشاشة الإفتتاحية لإكسل

صورة
الشاشة الإفتتاحية لإكسل : المكونات الرئيسية لنافذة برنامج الأكسل § الأعمدة : كل عمود يرمز له بحرف من (IV-A) = 256 عمود وتشتمل الشاشة الواحدة علي (^) عمود ما لم تتغير مساحة الأعمدة من حجم النافذة . § السطور ( الصفوف ) تأخذ أرقاما متسلسلة من ( 1 – 55366( § الخلية تطلق علي نقطة تقاطع العمود مع السطر علي صفحة البيانات ولكل خلية عنوان مميز يتكون من إسم العمود ورقم السطر المتقاطعين (A1) . عدد الخلايا < 4 مليون خلية = ( 256 X 65536 ) § الخلية النشطة هي الخلية التي يحيط بها برواز يسمي ( مؤشر الخلية ) ويظهر عنوانها دائما في شريط المعادلة وهي الخلية التي تستقبل المخلات من لوحة المفاتيح . ويمكن إتساع الخلية من شريط الافقي وذلك بتحريك عن طريق الماوس باستمرار الضغط عليه وتركه حسب المساحة المطلوبة . § شريط العنوان يشتمل علي إسم المستند (BOOK1) ( اسم البرنامج + اسم المستند + أزرار التحكم ) § شريط أدوات التنسيق قضيب يشتمل علي أدوات تستخدم لتنفيذ عمليات توفر وقتك ويمكن من خلاله اختيار نوع الخط وحجمها – تنسيق فقرة الكتابة – الضبط الكلي لفقرة الكتابة – تغيير لون الخ
قراءة المزيد

أوامر الجافا سكريبت JavaScript

صورة
أوامر الجافا سكريبت :- الجافا سكريبت لغة تعتمد علي الكائنات البرمجية , وهو الشئ الذي يمنحها قوة في الإستخدام , لكن أين نكتب أوامر الجافا سكريبت :- 1- في منطقة الرأس ( Head) الخاصة بكود HTMl 2- في منطقة الجسم ( Body) الخاصة بكود HTML ولا قيود علي مبرمج الجافا أن يضع أوامر الجافا سكريبت في منطقة الرأس أو الجسم , لكن راعي أن أوامر الإخراج – وهي الأوامر التي من اختصاصها أن تظهر ناتج الكود البرمجي علي المتصفح – لابد وأن تكتب في منطقة الجسم (Body) أو في المكان الذي تريده أن يظهر فيه ناتج السكريبت , أما عند كتابة أمر الإخراج في منطقة الرأس (Head) فإنه يعمل علي كتابة ناتج هذا الأمر قبل البدء في أي أوامر تختص بمنطقة الجسم ( Body) . هناك ميزة أخري في الجافا سكريبت وهو أنه يمكنك كتابة كود الجافا سكريبت في ملف خارجي (كما هو الحال في CSS ) , ويكون امتداد ذلك الملف (* .Js) ,   وتكون صيغةالربط بينصفحتك وملف الجافا كالآتي :- > Script Language = " javascript" src = " موقع الملف علي الشبكة أو علي الجهاز "> > /Script> ملاحظات علي كتابة الأوامر في ا
قراءة المزيد

مسائل علي الترانزستورات MOSFET

صورة
مسائل مسألة 1 ترانزستور MOSFET من النوع المقلل (depletion) له المعطيات التالية : IDSS = 10mA; VGS,of = -4V أوجد قيم I D R DS , g m , عندما تكون V G = -2V و V G = +2V . أفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل :   مسألة (2) : ترانزستور MOSFET من النوع المعزز له البارامترات التالية : V GS,th = +2v; وعند V GS يساوي (+4V) كان ID = 12mA أوجد R DS , gm, k بفرض أن الترانزستور يعمل في المنطقة الفعالة . الحل : من أجل حساب k استخدم معادلة تيار المصرف في المنطقة الفعالة : I D = k (V GS – V GS,th )2 ومن هذه المعادلة تحصل علي : ومن أجل إيجاد g m , استخدم العلاقة التالية : وعندها يمكن حساب المقاومة R DS من العلاقة : R DS = (1/gm) = 83Ω مسألة (3) : في دارة الشكل يوجد ترانزستور MOSFET قنال (n) من النوع المعزز له V GS,off = -4V , I DSS = 10mA . المقاومة R D = 1kΩ وجهد التغذية المستمر V DD = +20V . أوجد الربح (V out / V in ) . يمكن باستخدام قوانين كيرشوف وأوم الحصول علي المعادلات التالية : V DD = V DS + I DRD V DD = V D
قراءة المزيد